【摘要】：根据这两种不同的结构，BJT分为两种类型：NPN型和PNP型。BJT的外特性与这三个区域的特点密切相关。图2.1.2、分别是NPN型和PNP型BJT的电路符号，其中发射极上的箭头表示发射结外加正偏电压时，发射极电流的实际方向。图2.1.2两种类型BJT的结构示意图及其电路符号本章主要讨论NPN型BJT及其电路，但结论对PNP型BJT同样适用，只不过两者所需的直流电源电压的极性相反，产生的电流方向也相反。
BJT的结构示意图如图2.1.2（a）、（b）所示。在一个硅（或锗）片上形成三个杂质半导体区域：一个P区夹在两个N区中间，或者一个N区夹在两个P区中间。根据这两种不同的结构，BJT分为两种类型：NPN型和PNP型。从三个杂质半导体区域各自引出一个电极，分别称为发射极e、集电极c、基极b，它们对应的杂质半导体区域分别称为发射区、集电区和基区。这三个区域的特点是：基区宽度很薄（微米数量级），掺杂浓度很低；发射区和集电区是同类型的杂质半导体，但发射区比集电区掺杂浓度高很多，而集电结面积大于发射结面积，因此它们不是电气对称的。BJT的外特性与这三个区域的特点密切相关。
三个杂质半导体区域之间形成了两个离得很近的PN结，发射区与基区间的PN结称为发射结，集电区与基区间的PN结称为集电结。图2.1.2（c）、（d）分别是NPN型和PNP型BJT的电路符号，其中发射极上的箭头表示发射结外加正偏电压时，发射极电流的实际方向。
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图2.1.2 两种类型BJT的结构示意图及其电路符号
本章主要讨论NPN型BJT及其电路，但结论对PNP型BJT同样适用，只不过两者所需的直流电源电压的极性相反，产生的电流方向也相反。
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