【摘要】：初始电子束中的大部分电子在经过与介质原子和电子相互作用后发生背散射，电子发射谱表征了背散射电子在各能量点的统计分布。图3-3 给出了大部分材料在电子束作用下形成的典型发射电子谱。入射电子束中一部分电子与材料原子相互作用，保持了原有的动能，仅与介质的原子发生弹性碰撞，这些电子构成了发射电子谱中的弹性峰，该弹性峰位于入射电子束的初始能量处。
初始电子束中的大部分电子在经过与介质原子和电子相互作用后发生背散射，电子发射谱表征了背散射电子在各能量点的统计分布。图3-3 给出了大部分材料在电子束作用下形成的典型发射电子谱。入射电子束中一部分电子与材料原子相互作用，保持了原有的动能，仅与介质的原子发生弹性碰撞，这些电子构成了发射电子谱中的弹性峰，该弹性峰位于入射电子束的初始能量处。同时，部分入射电子与介质原子发生非弹性碰撞之后，逸出表面，此部分电子会在弹性峰附近出现一个不太明显的能量损失电子峰。在能量谱更低能量位置处，出现分立并尖锐的峰，该峰是俄歇电子峰，是因为原子内壳层的电子激发形成空穴，电子从外壳层跃迁到内壳层的空穴位置并释放能量，这种能量可以被转移到另一个电子，导致其从原子激发出来，这个被激发的电子就是俄歇电子，由于被激发的电子在不同的轨道，这些轨道是分立的，因而被激发的电子相对集中在特征能量点上，因而俄歇电子峰相对更尖锐。电子发射谱的另一个重要特征是具有二次电子峰，此峰的形成主要是通过非弹性碰撞，电子从固体原子中被激发的，并在固体中输运，到达表面时，具有足够能量的电子从表面逃逸出来，二次电子的能量分布被限制在能谱的低能区域，通常在50 eV 以下。
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图3-3 电子与固体作用产生的发射电子谱
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