MOS场效应晶体管符号有N沟道增强型、N沟道耗尽型、N沟道MOS场效应晶体管简化符号及P沟道增强型、P沟道耗尽型、P沟道MOS场效应晶体管简化符号等，如图7-10a所示。场效应晶体管符号由直线和箭头组成，可以用直线命令完成，符号的箭头可取尺寸标注块中的箭头来用。沟道增强型场效应晶体管符号中有一条竖直虚线，虽然可以用虚线来画，虚线外观由“线型管理器”中的“全局比例因子”和“当前对象缩放比例”控制，但如果该场效应晶体管符号要应用到不同图纸中，由于不同图纸“全局比例因子”可能设得不同，因而虚线外观会变化，所以该线用连续线画成虚线的形式为好。
以N沟道增强型场效应晶体管符号为例，其绘制作图过程如下：
1）单击“绘图”工具栏中的“直线”命令按钮
，根据命令行指示操作。
命令：_line指定第一点： （用直线命令绘制高为2线段）
指定下一点或[放弃（U）]：<正交开>2
指定下一点或[放弃（U）]：
命令：_line指定第一点： （捕捉线段中点绘制水平线段）
指定下一点或[放弃（U）]：5
指定下一点或[放弃（U）]：
2）直接单击“修改”工具栏中的“复制”命令按钮
，选择高为2竖直线段上端点为基点，复制竖直另一条线段。
命令：_copy
选择对象：指定对角点：找到1个
选择对象： （按Enter键（选择高为2竖直线段对象））
指定基点或[位移（D）]<位移>： （捕捉选择高为2竖直线段上端点为基点）
指定第二点或<使用第一点作为位移>：3（输入指定对象基点位移3）
指定第二点或[退出（E）/放弃（U）]<退出>： （按Enter键）
3）单击“绘图”工具栏中的“直线”命令按钮
，根据命令行指示操作。
命令：_line指定第一点： （对象追踪开，绘制上拐角线）
指定下一点或[放弃（U）]：
指定下一点或[放弃（U）]：
指定下一点或[闭合（C）/放弃（U）]：
4）单击“修改”工具栏中的“镜像”命令按钮
，根据命令行指示操作。
命令：_mirror （对称复制另一竖直线段及下拐角线）
选择对象：指定对角点：找到3个
选择对象：(https://www.xing528.com)
指定镜像线的第一点：指定镜像线的第二点：
是否删除源对象？[是（Y）/否（N）]<N>：
5）单击“标注”工具栏中的“线性标注”按钮
。
命令：_dimlinear （用标注尺寸命令随意标注一个尺寸块）
指定第一条尺寸界线原点或<选择对象>：
指定第二条尺寸界线原点：<正交开>
指定尺寸线位置或[多行文字（M）/文字（T）/角度（A）/水平（H）/垂直（V）/旋转（R）]：
标注文字=16命令：
6）单击“修改”工具栏中的“分解”命令按钮
，用分解命令分解尺寸块。
命令：_explode
选择对象：找到1个
选择对象：
7）单击“修改”工具栏中“删除”命令按钮
，删除尺寸中无用部分。
命令：_erase
选择对象：找到1个，总计4个
选择对象：
8）单击“修改”工具栏上的“移动”按钮
，用移动命令移动箭头到所要的位置。
命令：_move
选择对象：指定对角点：找到2个
选择对象：
指定基点或[位移（D）]<位移>：
作图过程与结果如图7-10b所示。
图7-10 场效应晶体管符号的绘制
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