电子注入增强栅晶体管（IEGT）的原理及应用

IEGT是耐压4kV以上的IGBT系列电力电子器件，通过电子增强注入的结构实现了低通态电压。IEGT具有高耐压、低损耗、工作频率高、驱动智能化等优点，具有潜在的发展前途。目前IEGT的容量水平已达4.5kV/1500A。

IEGT的开关机理与IGBT相似，只是容量增大。IEGT作为脉冲功率用器件受到人们的重视，适用于大功率的逆变器和中频电源。

IEGT的参数

（1）集-射极最大额定电压U_CES：指栅极到发射极短路时，器件集电极到发射极能承受的最大直流电压。

（2）集-射极通态饱和电压U_CE（SAT）：指在额定电流、规定的结温下时的集电极到发射极的电压。

（3）栅-射极最大额定电压U_GES：指集电极到发射极短路时，器件所能承受的最大栅-射极电压。一般其绝对值在20V以内。

（4）栅-射极关断电压U_GE（off）：指在栅-射极电压U_GE最低的情况下，不使IEGT导通的电压。(www.xing528.com)

（5）集电极电流I_C：指在额定结温的条件下，集电极可连续工作而不造成器件损坏的最大直流电流。

（6）栅极漏电流I_GES：指对应于集-射极短路，U_GE=±20V时，栅极的漏电流。

（7）集电极关断电流I_CES：指栅极到集电极短路，集-射极电压为最大电压U_CES时，集电极的电流。

（8）导通损耗E_on：指IEGT从关断到导通的全过程中总的能量损耗，其最终的集电极电流为器件的额定电流。

（9）关断损耗E_off：指IGBT从导通到关断的全过程中总的能量损耗，其最初的集电极电流为器件的额定电流。

（10）最高结温：指IEGT可正常工作而不损坏时，所允许的内部最高结温。