集成门极换流晶闸管（IGCT）的优化

IGCT是由ABB公司研制的集成化可关断半导体器件，目前其容量水平已达6kV/6kA，远远高于IGBT器件。IGCT的原理和制造技术源于GTO，但是性能要优于GTO，管压降低，开关速度高，无需浪涌吸收电路，关断时门极功耗低。IGCT产品已经将光触发电路和功率器件集成化，使用方便。目前IGCT已经成为大功率电器传动的主流半导体功率器件。

图10-8a所示为瑞士ABB公司型号为55HY35L4510的IGCT通态特性，其正常工作电流在4000A范围内，通态电压典型值为2.35V，临界电流上升率为1000A/μs。在关断过程中，关断延时为7μs，可关断电流为4000A。

图10-8 IGCT器件的通态伏安特性和外形

IGCT的参数

（1）正向阻断峰值电压U_DRM：指在额定结温和允许的最大正向漏电流条件下，测得的正向重复峰值电压。(www.xing528.com)

（2）中间电压U_DC-LINK：指IGCT在占空比为100%的情况下的最高直流电压。测试条件：海平面、开放空气中，因宇宙射线引发的失效次数为100次。

（3）最大不重复关断电流I_TGQM：指IGCT在承受中间电压U_DC-LINK情况下，最大的不重复关断电流。

（4）通态电压降U_T：指在I_TGQM条件下的正向导通电压降。

（5）触发电流I_G：指IGCT能够触发的最小电流。

（6）最大结温t_J（max）：指IGCT在额定电流的条件下，不使其失效的最高PN结温度。