【摘要】：如新加坡国立大学的Chim课题组首先用AAO模板电沉积制备了多晶镍纳米线，然后通过低温步进式热氧化法制得壁厚均匀的NiO纳米管，并利用空位的有限扩散和柯肯达尔效应很好地解释了均匀壁厚的形成机理。此外，德国弗莱堡大学的Yang和Liu课题组首先在AAO模板中通过脉冲电沉积制得Ni/Pt纳米线，然后通过控制Ni-Pt界面氧化条件，最后制得高度有序的NiO/Pt波浪形纳米豆荚；其中Pt的存在很好地控制了镍的氧化行为，具体成果见图6.1.1。
氧化法是将已经制备好的金属镍纳米材料在含氧气氛中加热到一定的温度，然后金属镍原子和氧原子发生反应形成氧化镍原子，最后反应形成氧化镍纳米材料。此方法极为简单，是氧化镍纳米材料制备中应用最为广泛的一种方法。如新加坡国立大学的Chim课题组首先用AAO模板电沉积制备了多晶镍纳米线，然后通过低温步进式热氧化法制得壁厚均匀的NiO纳米管，并利用空位的有限扩散和柯肯达尔效应很好地解释了均匀壁厚的形成机理（见图6.1.1（A））。Wei等学者通过基于气相的金属刻蚀氧化法制得了高质量单晶NiO纳米线垂直阵列，NiO纳米线的直径和长度可通过调节生长温度和载气浓度得到控制；此方法中镍箔用作基底和镍源，镍盐作为附加镍源且提供氯气进行刻蚀（见图6.1.1（B））。此外，德国弗莱堡大学的Yang和Liu课题组首先在AAO模板中通过脉冲电沉积制得Ni/Pt纳米线，然后通过控制Ni-Pt界面氧化条件，最后制得高度有序的NiO/Pt波浪形纳米豆荚；其中Pt的存在很好地控制了镍的氧化行为，具体成果见图6.1.1（C）。更为新奇的是中国北京大学的Liao课题组和爱尔兰的都柏林三一学院的Wu课题组制得了NiO/Ni核壳结构，并发现其应用于阻变存储器可提高稳定性和重复性；他们首先在AAO模板中通过电沉积制得单晶镍纳米线，然后空气中自然氧化3天便制得NiO/Ni核壳结构，外层的NiO为无定形（见图6.1.1（D））。(https://www.xing528.com)
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