6种外部驱动电路实现电压控制——欠电压和过电压实例分享

实现过电压、欠电压控制的6种外部驱动电路分别如图15-20a～f所示。图15-20a示出由两只晶体管2N1711构成的驱动电路。当过电压信号OV=0（低电平）时，VT₁截止，进而使VT₂导通，可以驱动外部控制电路。

图15-20 6种典型驱动电路

a）用两只功率晶体管驱动 b）用达林顿管驱动继电器 c）用P沟道MOSFET驱动 d）用N沟道MOSFET驱动 e）用IGBT驱动 f）用光耦合器、双向晶闸管驱动

图15-20b是由TIP-110型达林顿管和继电器共同组成的驱动电路。TIP-110能控制2A的负载电流，可驱动大功率继电器。实际上达林顿管本身也可作为一个开关器件，其作用与功率MOSFET和IGBT相似。其工作原理如下：当OV=0（低电平）时，VT₁截止，VT₂导通，继电器吸合，将常开触点（K）接通，进行过电压保护。VD为续流二极管，可以为继电器在断电瞬间产生的反向电动势提供泄放回路，保护达林顿管不至于损坏。在图b的基础上还可增加由3V电池组、限流电阻和LED（发光二极管）构成的过电压显示报警电路。(www.xing528.com)

图15-20c和图15-20d是利用欠电压信号UV，分别经过P沟道、N沟道MOSFET来驱动加热元件的。当外部电源U₊=12V时，R取2.4kΩ；U₊=6V时，R=1.2kΩ，允许有±5%的阻值误差。

图15-20e所示电路是欠电压信号通过IRGBC40S型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）来控制电动机或压缩机的。

图15-20f中，欠电压信号是通过MOC3011型光耦合器（内含0.1A/400V的双向触发二极管）、2N6073A4A/400V双向晶闸管来驱动交流负载的。