主电源属于双开关管反激式变换器,高频变压器T1的一次绕组为NP1,二次绕组为NS1,偏置绕组为NB1。在刚启动主电源时,自举升压二极管VD9导通,高端MOSFET的HS引脚被VD9短暂地连接到地线上,NB1绕组的输出电压经过VD4和VD9为C3、C4充电构成闭合回路,由C3、C4的充电电压给TFS762HG供电,经过12ms时间V1开始工作。等主电源进入正常工作状态后VD9截止,偏置绕组NB1的输出电压经过VD4、C3、C4和R12整流滤波,继续给TFS762HG提供+12V的偏置电压UB1,接至TFS762HG的UDDH端。
输入直流高压UI通过V1、NB1、V2返回。T1的磁复位电路由R7、R8和VD3构成,主输入在磁复位期间被连接到一个高于UI的复位电压,因此主变换器的工作占空比可大于50%。输入电容器C2采用270μF的大容量电解电容器,以确保当UI=+380V、满载输出时,C2的供电保持时间不小于20ms。(www.xing528.com)
主输出电路主要包括输出整流管VD5、保护二极管VD6、电感(磁珠)L1、输出滤波电容器C9和C10、精密光耦反馈电路IC2(使用一片PC817,包含IC2A、IC2B)和IC6(TL431)。VD5和VD6均采用M6060C型60A/60V的大功率肖特基对管。输出滤波电容采用两只低等效串联电阻的3300μF电解电容器C9和C10并联而成。R15、R18构成取样电阻分压器,输出电压经取样后与TL431内部的2.50V基准电压UREF进行比较,产生误差电压,改变阴极K的电位,使流过IC2A中发光二极管的电流ILED发生改变,进而改变IC2B内部光敏晶体管的集电极电流IC,去调节TFS762HG的输出占空比,使输出电压保持稳定。R14和C5为相位补偿电路,R13用来设定环路的直流增益。C6为消噪电容。
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