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输入输出保护电路的设计与应用

时间:2023-06-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:输入电路主要包括输入保护电路、启动电路和漏极钳位保护电路。输入保护电路由4A熔丝管、防止输入电压极性接反的保护二极管VD1构成。图10-11 南TFS762HG构成的312.5W高效大功率有源PFC变换器电路图图10-12 主电源和辅助电源的效率与输出功率相对值的关系曲线由R6、VDZ1、R4和C1构成主电源和辅助电源的钳位保护电路,用来限制TFS762HG中3只MOSFET的漏极电压,均不得超过各自的极限值。主输出和辅助输出的过电压保护电路由稳压管VDZ3和VDZ4、光耦合器IC4等组成。

输入输出保护电路的设计与应用

输入电路主要包括输入保护电路、启动电路和漏极钳位保护电路。输入保护电路由4A熔丝管(FU)、防止输入电压极性接反的保护二极管VD1构成。UI经过R1R3送至TFS762HG的线电压监测端L,用于检测输入是否欠电压。R1R3的总阻值为4MΩ,实际用3只1.33MΩ电阻串联而成,以降低每只电阻的功率

启动电路的工作原理是上电后,TFS762HG通过内部高压电流源开始给BP端的电容器C18充电。与此同时,TFS762HG通过R1R3对输入电压进行检测,当UI达到+100V时开启辅助电源。一旦UI达到主变换器的欠电压阈值(DC+315V),且远程通/断开关S闭合,主变换器就开始初始化,给TFS762HG的BP端注入5mA的电流,经过14ms的延迟时间后,首先启动主控制器,2只功率MOSFET(V1、V2)进入开关状态,开关频率均为66kHz,在正常工作或欠电压期间,R端通过串联R4R9R11来检测MOSFET关断时的钳位电压,内部控制器通过比较R端和L端的电流来决定最大占空比,在发生欠电压、负载瞬态变化等各种情况下,都能避免主变压器发生磁饱和。L端内部接欠电压检测电路,欠电压阈值为+315V。若UI<+315V,就发出欠电压信号,主控制器仍然工作;一旦UI<+215V,则立即关断主控制器。

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图10-11 南TFS762HG构成的312.5W高效大功率有源PFC变换器电路图

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图10-12 主电源和辅助电源的效率输出功率相对值的关系曲线

R6、VDZ1R4C1构成主电源和辅助电源的钳位保护电路,用来限制TFS762HG中3只MOSFET的漏极电压,均不得超过各自的极限值。VDZ1采用瞬态电压抑制器P6KE150,其钳位电压为150V。

主输出和辅助输出的过电压保护电路由稳压管VDZ3和VDZ4、光耦合器IC4(IC4A、IC4B)等组成。常态下IC4不工作。当主输出发生过电压故障时VDZ3被反向击穿,就有电流通过IC4A,再通过IC4B给反馈端提供15mA以上的电流,强迫两个控制器关断,从而起到保护作用。同理,一旦辅助输出出现过电压故障,VDZ4就被反向击穿,保护原理同上。发光二极管LED为+5V电源的指示灯,R34为限流电阻;当+5V负载开路时,R34兼作假负载,可限制该路的输出电压不至于过高。

通过改变R31的阻值可设定主变换器的漏极极限电流ILIM IT 1,当R31=232kΩ时,ILIM IT 1=3.5A。

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