由TNY376P构成具有峰值输出能力的7.5W(峰值功率13W)DVD电源的电路如图6-16所示。它属于反激式开关电源,4路输出分别为UO1(+3.3V,500mA)、UO2(+5V,500mA)、UO3(+12V,250mA)和UO4(-12V,30mA)。交流输入电压范围是85~265V,连续输出功率为7.5W,峰值输出功率可达13W。在230V交流输入时的空载功耗低于150mW。
图6-16 7.5W(峰值功率13W)DVD电源的电路
85~265V的宽范围交流输入电压经过3.15A熔丝管FU、桥式整流器(VD1~VD4)和输入滤波电容器C2,获得直流高压。在整流桥中使用两只快恢复二极管(VD1和VD2),可降低500kHz以下的传导噪声。由电容器C1~C3和共模扼流圈L1组成的电磁干扰(EMI)滤波器,可滤除串模干扰和共模干扰。在开关电源的返回端(RTN)与一次绕组的高压端之间并联一只安全电容C16(亦称Y电容)。
由瞬态电压抑制器VDZ(P6KE180A)、快恢复二极管VD5(FR106)、R1、R2和C4构成一次侧的RCD型钳位保护电路,用于吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压,对芯片内部的功率开关管(MOSFET)起到保护作用。瞬态电压抑制器(TVS)在承受瞬态高能量电压(例如浪涌电压、尖峰电压)时,能迅速反向击穿,由高阻态变成低阻态,将干扰脉冲钳位到安全值,其钳位时间仅为1ns。
VD6~VD9分别为4路输出的整流管。其中,VD8采用3A/40V的肖特基二极管SB340,VD7采用1A/40V的肖特基二极管1N5819。VD6、VD9选用1A/200V的超快回复二极管UF4003。
TNY376P(IC1)中的控制器,通过光耦合器PC817A(IC2)接收来自二次侧的反馈电流,并根据反馈电流的大小来决定内部MOSFET的通、断,以维持输出电压的稳定。(www.xing528.com)
该电源的+3.3V和+5V为主输出,额定输出电流均为500mA,其余两路为辅助输出。为提高主输出电压的稳定性,从+3.3V、+5V输出电路中分别引出反馈信号,依次经过精密电阻R4和R5将反馈电流按照一定的比例送至光耦电路中。反馈比例系数由R4、R5设定。TL431为可调式精密并联稳压器,A为阳极,K为阴极(输出端),UREF为2.50V基准电压。利用反馈电阻分压器R4和R5,即可设定K端的输出电压,取R4=20kΩ、R5=6.34kΩ时,流过R4、R5的电流分别为
由于IR4≈IR5,因此反馈电流比例系数为k≈50%,即+5V和+3.3V的反馈量相等。再通过TL431去控制光耦合器PC817中LED的电流,红外接收管的输出电流接使能/欠电压端EN/UV。一旦电流超过EN/UV端的关断阈值电流,就采用跳过周期的方式最终使输出电压恢复正常。在连续输出功率模式下,TinySwitch-PK的工作频率为132kHz。在峰值输出功率模式下,可自动将极限电流提升30%,与此同时开关频率也提高到264kHz。C13为软启动电容,可防止在启动电源时发生电压过冲现象。
设计要点:
高频变压器采用EEL19型铁氧体磁心。一次绕组用ϕ0.29mm漆包线绕47匝。为了增加磁耦合,改善轻载时的稳压性能并降低成本,二次绕组采用堆叠式绕法。其中,+3.3V绕组、+5V绕组分别用0.052mm厚的铜箔绕2匝和1匝。+12V绕组、-12V绕组分别用双股ϕ0.40mm的漆包线绕4匝和7匝,此外还有两个屏蔽层。绕制顺序为:屏蔽层1(N1)→一次绕组(NP)→屏蔽层2(N2)→+3.3V(NS3)→+5V绕组(NS2)→+12V绕组(NS1)→-12V绕组(NS4)。一次绕组的电感量LP=895μH(允许有±10%的偏差),最大漏感量LP0=30μH。高频变压器的最低谐振频率为300kHz。
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