5.7V 800mA (4.5W) 恒压/恒流式充电器示例

由TNY276P构成的5.7V、800mA（4.5W）恒压/恒流式充电器电路如图5-17所示。该充电器属于反激式电源变换器，具有电路简单、成本低廉及恒压/恒流（CV/CC）输出特性。设计中使用了体积小、价格低的EE16型磁心。在交流265V输入时的空载功耗低于260mW。即使在交流90V低压输入时，电源效率仍高于65%，符合CEC/ENERGY STAR（能源之星）的节能标准。在一次绕组与二次绕组之间不接Y电容器的情况下，抗电磁干扰性符合EN55022B标准中规定的大于15dBμV的要求。

图5-17 由TNY276P构成的5.7V、800mA（4.5W）恒压/恒流式充电器电路

R_F为可熔断电阻器，它能起到过流保护作用并限制上电时的冲击电流。由VD₁～VD₄、π型EMI滤波器（C₁、L₁、L₂和C₂）构成桥式整流滤波器，该π型EMI滤波器还能衰减一次侧的电磁干扰。一次侧钳位电路（R₁、C₄、R₂和VD₅）用来限制功率MOSFET的最大峰值漏极电压，使之低于700V。电阻器R₂减少由高频漏感引起的振铃电压和电磁干扰。

在每个开关周期内，TNY276P内部的功率MOSFET经过高频变压器的一次绕组来传输能量。当一次侧电流达到电流极限时，控制器关闭功率MOSFET，并将高频变压器中的能量传输到输出级。由肖特基二极管VD₆和电容器C₅构成输出整流滤波器。利用L₃和C₇能减少输出波纹，L₃采用外形尺寸为3.5×7.6（mm）的铁氧体磁珠。C₈和R₈用来减小二次侧的高频振铃电压。

精密光耦反馈电路是由光耦合器PC817A和可调式精密并联稳压器TL431构成的。R₃为输出电流检测电阻。正常工作时，R₃上的压降U_R3=R₃I_O=1.2Ω×800mA=0.96V，低于光耦合器PC817A中LED的压降U_LED（U_LED≈1V），此时电压控制环起作用，使充电器工作在恒压（CV）区。输出电压U_O经过取样电阻R₆和R₇分压后，得到取样电压U_REF，与TL431内部2.50V带隙基准电压U_ref进行比较，在阴极上形成误差电压，使LED的工作电流I_F产生相应变化，再通过光耦去改变控制端电流I_C的大小，调节TNY276P的开关脉冲个数，使U_O不变，达到稳压目的。当I_O超出800mA时，U_R3＞U_LED，此时电流控制环起作用，TNY276P就自动进入（CC）区，可对电池进行恒流充电。(www.xing528.com)

设计要点：

（1）高频变压器采用EE16型磁心，磁心留间隙后的等效电感A_LG=163nH/T²（T代表匝数）。一次绕组用ϕ0.18mm漆包线绕120匝，二次绕组用三层绝缘线绕10匝。在一次、二次绕组之间绕制两个屏蔽层，第一层用ϕ0.18mm漆包线绕双股并绕28匝，第二层用ϕ0.35mm漆包线绕双股并绕8匝。一次侧电感量L_P=2.25mH（允许有±12%的误差），最大漏感量L_P0=45μH。高频变压器的谐振频率不低于850kHz。

（2）当交流输入电压达到最大值并发生输出过载时，应确保最大漏极电压小于650V，必要时可调整R₁和C₄值。当R₁值偏小而C₄值偏大时，会增加空载功耗。

（3）VD₅宜采用快恢复或超快恢复二极管以提高电源效率。亦可采用经过玻璃钝化的硅整流管1N4007GP，或FR107型用快恢复二极管，但不得使用普通的1N4007整流管。