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高效、稳定的48V 5.2A DC/DC变换器,250W

时间:2023-06-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:由TOP250Y构成48V、5.2ADC/DC变换器的电路如图3-21所示,C1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。图3-21 由TOP250Y构成48V、5.2ADC/DC变换器的电路由于一次绕组电流较大,须采取以下措施:第一,采用低泄漏电感的高频变压器并在一次、二次绕组之间增加屏蔽层,将漏感减至最小;第二,在钳位保护电路中的瞬态电压抑制器两端并联阻容元件R2、R3、C6,构成保护功能完善的VDZ、VD、R、C型钳位及吸收电路,以便吸收掉漏感上较大的磁场能量。

高效、稳定的48V 5.2A DC/DC变换器,250W

由TOP250Y构成48V、5.2A(250W)DC/DC变换器的电路如图3-21所示,C1为高频滤波电容,专门抑制从输入端引入的电磁干扰。由于TOP250Y工作在它的功率上限,因此需将X端与源极S短接,把极限电流设置为内部最大值,即978-7-111-41942-6-Chapter03-22.jpg。在L端到UI之间接一只2MΩ的电阻R1,可进行线路检测。若UI>450V,则TOP250Y停止工作,直到电压恢复正常。这就有效地防止了元件损坏。

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图3-21 由TOP250Y构成48V、5.2A(250W)DC/DC变换器的电路

由于一次绕组电流较大,须采取以下措施:第一,采用低泄漏电感的高频变压器并在一次、二次绕组之间增加屏蔽层,将漏感减至最小;第二,在钳位保护电路中的瞬态电压抑制器两端并联阻容元件R2R3C6,构成保护功能完善的VDZ、VD、R、C型钳位及吸收电路,以便吸收掉漏感上较大的磁场能量。这种设计的优点在于,正常工作时VDZ的损耗非常小,泄漏磁场能量主要由R2R3分担;VDZ的关键作用是限制在启动(或过载)情况下的尖峰电压,确保内部MOSFET的漏极电压低于700V。(www.xing528.com)

二次绕组电压首先经过VD2C9C10C11整流和滤波,再通过LC12滤除开关噪声之后,获得稳定的直流输出电压UO。为减小滤波电容的等效电感,现将C9C10C11作并联使用。稳压管VDZ2、VDZ3和VDZ4的稳压值分别为22V、12V、12V,串联后的总稳压值UZ=46V,稳定电流IZ≈10mA。设光耦中红外发光二极管LED的正向压降为UF,输出电压为UO=UZ+UF+UR6≈46V+1V+10mA×100Ω=48V。

R6是LED的限流电阻,它还决定控制环路的增益。二极管VD4和电容C14构成软启动电路。刚上电时,由于C14两端压降不能突变,致使VD4因负极接低电平而导通,此时稳压管不工作。随着C14被充电,其两端的压降不断升高,又使VD4变成截止状态,输出电压才建立起来。掉电后,C14上的电荷就经过R9泄放掉。C13R8为高压控制回路的频率补偿元件。为了保证TOP250Y能在满载情况下正常输出,必须给TOP250Y加上面积足够大的散热器,使芯片即使在低压输入或最高环境温度下工作,芯片的最高结温也不超过110℃(仅对Y封装而言,其他封装均不得超过100℃)。若受安装条件限制,无法加装大散热器,则必须进行通风降温。

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