HiperTFS系列产品的工作原理解析

HiperTFS采用eSIP-16封装，引脚排列如图1-6a、b所示。各引脚的功能如下：D为双开关正激变换器的低端功率MOSFET的漏极引出端。DSB为辅助电源功率MOSFET的漏极引出端。G为公共地端。S为主变换器的MOSFET和辅助变换器的MOSFET源极引出端。R为复位端，用以限制最大占空比。EN为辅助电源控制器的使能端。L为线电压监测端，内部接线路检测器；该端经过4MΩ的高阻值电阻接输入直流高压，用于检测线电压，兼有输入欠电压、输入过电压保护之功能。FB为辅助电源的反馈端。BP为旁路端，该端可通过手动开关或计算机发出的信号进行远程通/断（ON/OFF）控制，开启或禁用主电源和辅助电源。U_DDH为高端工作电压端。HS、HD分别为高端MOSFET的源极、漏极引出端。为提高耐压性能，相邻高压引脚或高压引脚与低压引脚之间分别空出了一个引脚的间距。

图1-6 HiperTFS的引脚排列图

a）正面 b）背面

HiperTFS的内部简化示意图如图1-7所示。主要包括主控制器和辅助控制器、3只功率MOSFET（V₁～V₃），其中，V₁、V₂为耐压530V的高端功率MOSFET，V₃为耐压725V的低端功率MOSFET。HiperTFS工作在66kHz固定频率（恰好等于辅助控制器工作频率的1/2）。

(www.xing528.com)

图1-7 HiperTFS的内部简化示意图

HiperTFS内部的反激式变换器电路框图如图1-8所示。它主要包括5.7V稳压器、自动重启动计数器、具有频率抖动功能的振荡器、主电源远程通/断控制电路、极限电流状态机、BP端欠电压比较器、极限电流校准电路、过电流比较器、过热保护电路、主控门、功率MOSFET、触发器、前沿消隐电路和门电路。HiperTFS的内部结构与第三代TinySwitch-Ⅲ系列微型单片开关电源基本相同，但增加了主电源远程通/断控制、极限电流校准等电路，此外，其振荡器输出的时钟信号（CLK2）、占空比信号（D_2max）和锯齿波信号（SAW）还送至双开关正激式变换器，两者公用一个振荡器，这是它与TinySwitch-Ⅲ的重要区别。

图1-8 反激式变换器电路框图