【摘要】：进一步测量薄膜中相应的电流密度j、温度T及电阻R随时间的变化过程，结果如图2.3所示，分析结果可以得出［9，10］：图2.3液态镓薄膜断裂过程中，电流、温度及电阻随时间的变化情况［9］薄膜中的电流密度j在t=23.0 s时开始增加。给样品施加一个恒定的电压后，在t=26.5s时，j增至114.9 A/mm2。图2.4硅片上液态镓薄膜的EDS能谱图［9］采用EDS能谱分析薄膜断裂处残余物成分，结果如图2.4所示。这表明残余物的主要成分是氧化物。
进一步测量薄膜中相应的电流密度j（t）、温度T（t）及电阻R（t）随时间的变化过程，结果如图2.3所示，分析结果可以得出［9，10］：
图2.3 液态镓薄膜断裂过程中，电流、温度及电阻随时间的变化情况［9］
（1）薄膜中的电流密度j（t）在t=23.0 s时开始增加。给样品施加一个恒定的电压后，在t=26.5s时，j（t）增至114.9 A/mm2（电流3.2 A）。紧接着j（t）开始急剧地下降，并最终在t=27.5s时降为零。这表明电迁移效应烧断了镓薄膜，从而使电路断开。
（2）薄膜中部的温度T（t）在t＜23.0 s时（断裂前）显示为38.0℃左右。保证了测量是在液态镓里面进行，而不是在固态镓里面进行的。随着电流密度j（t）的增加，焦耳热也增加，在t=26.5 s时温度增至最大值T（t）=44.9℃。(www.xing528.com)
（3）薄膜中两个楔形之间部分的电阻R（t）在t=23.0s时为0.4Ω，在t=26.5 s时增至0.6Ω，紧接着在t=27.5s时跃升至97 451.1 Ω（图2.3的内插图）。这表明薄膜在1s之内就断裂了。由于液态金属薄膜的二维特性及氧化物的存在，它的电阻比其体材要高得多。
图2.4 硅片上液态镓薄膜的EDS能谱图［9］
采用EDS能谱分析薄膜断裂处残余物成分，结果如图2.4所示。从图中可以看出，残余物包含55.31%的氧和44.69%的镓。这表明残余物的主要成分是氧化物。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
