栅极和旁路电阻的关键作用

（1）栅极电阻

由驱动电路来的驱动脉冲信号，经栅极电阻（图6-21中标记为R_栅）引入VT1的栅、射极，R_栅除对IGBT的开关速度产生影响、限制最大信号电流外，还有其他重要作用。IG-BT的栅-射极之间存在C_GE结电容，由脉冲信号引线形成的栅极回路的电感，两者在脉冲信号的作用下，易形成有害的LC振荡，串联R_栅可有效抑制这种振荡，使IGBT工作的可靠性得以提高。R_栅的取值与IGBT功率模块的电流值有关，模块电流在50～1000A，R_栅的电阻值为0.5～50Ω，随模块电流值的上升而减小。

（2）旁路电阻

（参见图6-21）在VT1的G1、E1极之间，还并联一只旁路电阻（图6-21中标记为R_旁），有的资料中也称该电阻为保护电阻。R_旁并联于IGBT内部的C_GE结电容两端，在异常状态，能对C_GE结电容的“微弱”充电电流起到旁路作用，避免引起IGBT的误导通，一定程度上起到对IGBT的保护作用。

如同双极性器件——晶体管一样，三线IGBT元件也自然形成了内部3只等效电容，而IGBT内部的C_GE却不是寄生性的，实在是工艺与结构所形成。C_CE电容我们不要去管它，在异常情况下，C_CG和C_GE两只电容的存在，有可能引起IGBT误导通！(www.xing528.com)

图6-21为VT2的GX、EX脉冲端子开路时的情形。上电后，VT1和驱动电路呈正常连接状态，负的截止电压加到G、E极上，能将其维持在可靠的截止状态。变频器运行信号的莽撞投入，使VT1受正向激励脉冲电压驱动而开通，VT2的C2极马上跳变为+530V的直流高压，此跳变电压提供了C_CG、C_GE两只电容的充电电流回路，在VT1导通期间，VT2也为此充电电流所驱动，而近于同时导通，两管的同时导通形成了对P、N端的+530V供电电源的短路，“啪啦”一声，两只管子都炸掉了！假如VT1的信号端子是空置的，而VT2与驱动电路是正常连接的，同样，下管的导通，也会令VT1的C1、E1极间电压瞬间跳变为DC530V，由此产生VT1内部C_CG、C_GE两只电容的充电电流，VT2、VT1同时导通而损坏。

假定在VT2的G、E极上，尚并联有栅极旁路电阻（如VT1栅控回路中的R_旁），将对上述充电电流形成旁路作用，两管共通的可能性会降低一些。再假定在上管导通期间，下管的G2、E2极间有-7V左右截止负压的存在，正向的充电电流为栅负偏压所中和（吸收），远远达不到使VT2导通的幅值，则VT2是安全的。这也正是IGBT的控制回路为什么要加上负向截止电压的缘故。

在IGBT截止负压丢失或触发端子空置的情况下，切记：不可使变频器进入起动状态！

在实际发生的IGBT模块损坏故障中，栅极电阻和旁路电阻也同时受到冲击，产生断路或电阻值变大的故障，对这两个关乎IGBT的安全的重要元件，一定要细心测量，使6路驱动电路都正常修复，并在正常连接脉冲端子的情况下，才能恢复逆变电路的原供电，起动变频器进行试机！