【摘要】：压力辅助熔体填充法就是通过加压将处于熔融状态的材料压入到MOFs或毛细管的空气孔中，冷却后形成复合玻璃光纤。2008年，Russell研究组首先报道了采用这种方法将半导体Ge填充到石英光子晶体光纤的单个孔中，其端面扫描电子显微镜照片如图2－4b所示［22］。图2－4采用PAMF技术在PCF的孔中填充单根Ge微米线PAMF技术示意图［21］；Ge半导体－玻璃复合光纤端面SEM照片［22］
压力辅助熔体填充（pressure assisted melt filling，PAMF）法就是通过加压将处于熔融状态的材料压入到MOFs或毛细管的空气孔中，冷却后形成复合玻璃光纤。该方法要满足三个条件［1，3］：首先，纤芯材料处于熔融状态，其黏度较低（＜10 Pa·s）；其次，填充温度要低于玻璃包层的转变温度，如采用石英玻璃作包层时，填充材料的熔点最高为1330℃；最后，填充材料和包层玻璃不发生化学反应。图2－4a为采用PAMF制备组分复合玻璃光纤的示意图［21］，通过压力使熔体材料选择性地填充到MOFs或毛细管中的空气孔中。2008年，Russell研究组首先报道了采用这种方法将半导体Ge（熔点约940℃）填充到石英（Tg约1330℃）光子晶体光纤的单个孔中，其端面扫描电子显微镜（scanning electron microscope，SEM）照片如图2－4b所示［22］。和HPCVD类似，许多材料可以通过PAMF集成到石英微结构光纤的微孔中。目前，金属（如Au、Ag和Cu）、硫系玻璃、碲酸盐玻璃以及半导体等已能通过PAMF集成到石英光纤中［1，3］。与热拉法和HPCVD相比，PAMF技术的优势在于：对材料的热膨胀系数不敏感；可集成的材料种类多，且材料的用量很少；微孔形状与尺寸要求低。其缺点是制备的复合玻璃光纤长度一般为几十厘米［8］。
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图2－4 采用PAMF技术在PCF的孔中填充单根Ge微米线
（a）PAMF技术示意图［21］；（b）Ge半导体－玻璃复合光纤端面SEM照片［22］
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