1.离子束加工原理
离子束加工原理与电子束加工类似,也是在真空条件下,把氩(Ar)、氪(Kr)、疝(Xr)等惰性气体,通过离子源产生离子束并经过加速、集束、聚焦后,投射到工件表面的加工部位,以实现去除加工。所不同的是离子的质量比电子的质量大千万倍。例如:最小的氢离子,其质量是电子质量的1 840倍;氩离子的质量是电子质量的7.2万倍。由于离子的质量大,故离子束加速轰击工件表面,比电子束具有更大的能量。
高速电子撞击工件材料时,因电子质量小,速度大,动能几乎全部转化为热能,使工件材料局部熔化、气化,通过热效应进行加工。而离子本身质量较大,速度较低,撞击工件材料时,将引起变形、分离、破坏等机械作用。例如加速到几十电子伏到几千电子伏时,主要用于离子溅射加工;如果加速到一万到几万电子伏,且离子入射方向与被加工表面成25°~30°时,离子可将工件表面的原子或分子撞击出去,以实现离子铣削、离子蚀刻或离子抛光等;当加速到几十万电子伏或更高时,离子可穿过被加工材料内部,称为离子注入。
产生离子束的方法是将电离的气态元素注入电离室,利用电弧放电或电子轰击等方法,使气态原子电离为等离子体(即正离子数和负离子数相等的混合体)。用一个相对于等离子体为电极(吸极),从等离子体中吸出离子束流,再通过磁场作用或聚焦,形成密度很高的电离子束去轰击工件表面。根据离子束产生的方式和用途不同,产生离子束流的离子源有多种形式,常用的有考夫曼型离子源和双等离子管型离子源。
2.离子束加工的特点
①易于精确控制,由于离子束可以通过离子光学系统进行扫描,使微离子束可以聚焦到光斑直径1 μm以内进行加工,同时离子束流密度和离子的能量可以精确控制,因此能精确控制加工效果,如控制注入深度和浓度;抛光时可以一层层地把工件表面的原子抛掉,从而加工没有缺陷的光整表面。此外,借助于掩膜技术可以在半导体上刻出1 μm宽的沟槽。(www.xing528.com)
②加工所产生的污染少,由于加工是在较高的真空中进行,离子的纯度比较高,因此特别适合于加工易氧化的金属、合金和半导体材料等。
③加工应力小、变形小。
3.离子束加工的应用
离子束加工是靠离子撞击工件表面的原子而实现的。这是一种微观作用,其宏观作用小,所以对脆性、半导体和高分子等材料都可以加工。
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