特性曲线及其在三极管工作状态判别中的应用

1.输入特性

图2-2（b）是三极管的输入特性曲线，它表示iB随uBE的变化关系，其特点如下。

（1）当uCE在0～2 V范围内，曲线位置和形状与uCE有关，但当uCE高于2 V后，曲线与uCE基本无关，通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。

图2-2　三极管的特性曲线

（2）当uBE＜uBER时，iB≈0（0～uBER）的区段称为“死区”。当uBE＞uBER时，iB随uBE增加而增加，放大时，三极管工作在较直的区段。

（3）三极管输入电阻，定义为：

rbe＝ΔuBE/ΔiB

当处于Q工作点时，其估算公式为：

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式中：rb为三极管的基区电阻，对于低频小功率管，rb约为300Ω。

2.输出特性

输出特性表示iC随uCE的变化关系（以iB为参数），从图2-2（c）所示的输出特性可见它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。

截止区：当uBE＜0时，则iB≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电结仍有少量电流通过，即iC＝ICEO，称为穿透电流，常温时ICEO为几微安，锗管为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流ICBO的关系是：

ICEO＝（1＋β）ICBO

常温时硅管ICBO小于1μA，锗管ICBO为10μA，对于锗管，温度每升高12℃，ICBO数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，ICBO数值增大一倍，虽然硅管的ICBO随温度变化更剧烈，但锗管的ICBO值本身比硅管大，所以锗管受温度影响更严重。

放大区：当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，iC随iB近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。

饱和区：当发射结和集电结均处于正偏状态时，iC基本上不随iB而变化，失去了放大功能。

根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。

思考题：三极管属于电流控制型器件，这个结论对吗？