光伏电池是基于半导体的光生伏特效应,将太阳光辐射能量直接转换为电能。当p型材料和n型材料相接,在晶体中p型和n型材料之间形成界面,即pn结。此时在界面层n型材料中的自由电子和p型材料中的空穴相对应。n区的电子会扩散到p区,p区的空穴会扩散到n区。一旦扩散就形成了一个n指向p的“内电场”,阻止扩散进行。达到平衡后就在界面层周围形成一个电荷区域。
当光线照射在光伏电池上,光在界面层被吸收,具有足够能量的光子能够在p型硅和n型硅中将电子从共价键中激发出来,以致产生电子-空穴对。界面层附近的电子和空穴复合之前,将通过空间电荷的电场作用相互分离。电子向带正电的n区运动,空穴向带负电的p区运动。通过界面层的电荷分离,则在p区和n区之间产生一个向外的可测试的电压。对晶体硅电池来说,开路电压的典型数值为0.5~0.6V。光照越强,在界面层产生的电子-空穴对就越多,电流越大。当电池上、下表面做上金属电极,并用导线接上负载,只要有光照,就会有电流流过。将光伏电池单元进行串并联,并封装后成为太阳能光伏电池组件,其功率可达几瓦、几十瓦甚至上百瓦,若干光伏电池组件按需要进行串并联后形成光伏电池阵列。
图6-2 光伏电池的等效电路
图6-2为单个光伏电池的等效电路[4]。当光照强度恒定时,由于光产生的电流不会随光伏电池的工作状态而变化,因此在等效电路中可以看做是一个恒流源。串联电阻Rs表征光伏电池输出电流时在电池板内部产生的损耗,其阻值一般都比较小,大约在10-3 Ω至几欧之间。并联电阻Rsh表征光伏电池由于制作工艺和缺陷而产生的微小漏电流,其阻值比较大,一般在1kΩ以上。
光伏电池阵列由若干个电池单体串并联组成,其端口伏安特性方程可表示如下:
式中 IPV——光伏电池阵列的输出电流;
UPV——光伏电池阵列的输出电压;
Isc——短路电流;
Isco——标准光照强度和标准温度时的短路电流;
Ido——二极管饱和电流;
ϕ——光照强度;
ϕo——标准光照强度;(www.xing528.com)
q——电子的电荷量;
A——二极管系数;
k——玻耳兹曼常数;
N——多个电池串联系数;
ht——温度系数;
Tco——基准绝对温度;
Tc——电池内部绝对温度;
To——气温;
hw——热传导系数;
a、b——常数。
开路电压和短路电流是光伏阵列的两个主要特征参数。
式(6-1)表明:①光伏电池输出电流与输出电压之间呈非线性关系,与光照强度和温度密切相关;②光伏电池的短路电流与光照强度成正比,同时也受到温度变化的影响;③二极管饱和电流主要受温度的影响,与温度成非线性关系。不同厂商生产的光伏电池参数略有不同,尤其是光伏电池的等效串联电阻Rs和并联电阻Rsh。电阻Rs越大或Rsh越小,光伏电池最大功率点的功率就越小,当Rsh>1kΩ和Rs<0.1Ω时,电阻的变化对最大功率点的影响就很小了。
光伏电池的输出特性受温度和光照强度等外界因素的影响很大,图6-3给出了不同光照和不同温度下的光伏阵列P-U特性曲线。可以看出,当光照强度增大、温度不变时,输出功率则会增加,同时输出电流也会增加;当光照强度不变、温度上升时,输出功率下降,开路电压也下降。在光照强度较低情况下,光伏电池的开路电压呈对数下降趋势,而短路电流和光照强度呈正比例关系。此外,无论在任何温度和光照强度下,光伏电池总有一个最大功率点,温度或光照强度不同,最大功率点位置也不同。
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