场效应晶体管的检测方法详解

场效应晶体管（FET）是一种电压控制器件，与普通晶体管相比，具有工作速度快、电流大、阻抗高、噪声低等优点。场效应晶体管有结型场效应晶体管（JFET）、肖特基场效应晶体管（MESFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）三种类，但它们常分为N沟道和P沟道两种形式，并有不同的检测方法。

1.N沟道场效应晶体管检测

N沟道场效应晶体管是电子电路中最常见的一种器件，但它常有JFET和MOSFET两种类型，并有不同的检测方法。

（1）N沟道JFET的检测方法

N沟道JFET是由一块N型材料和两块P型材料制成的电压控制器件，其结构如图5-28所示，各引脚电极的判别方法如图5-29所示，其放大能力检测方法如图5-30所示。

（2）N沟道MOSFET的检测方法

N沟道MOSFET是用P型硅作衬底，表面先氧化形成一层SiO₂，光刻出源极与漏极窗口，并通过窗口扩散形成两个高掺杂N+区，最后在源、漏极之间的氧化膜上蒸上一层金属（铝）电极（栅极），从而形成对N沟道电流进行控制的器件。其结构示意图如图5-31所示，各引脚电极的判别方法如图5-32所示。一些常见N沟道场效应晶体管的型号及主要参数值见表5-4。

图5-28 N沟道JFET结型场效应晶体管内部结构

图5-29 N沟道JFET场效应晶体管各电极判别方法

图5-30 N沟道JFET场效应晶体管放大能力检测方法

图5-31 N沟道MOSFET绝缘栅场效应晶体管内部结构

图5-32 N沟道MOSFET场效应晶体管各电极的判别方法(www.xing528.com)

表5-4 常见N沟道场效应晶体管型号及主要参数值

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2.P沟道场效应晶体管的检测

P沟道场效应晶体管的主要特征是，其漏极电流为空穴流（N沟道为电子流），对于JFET来说它的主体材料为P型硅，而栅极为N型材料，其结构示意图如图5-33所示，各引脚电极的判别方法如图5-34所示。对于MOSFET来说，它的衬底材料为N型硅，窗口扩散形成两个高掺杂P-区，其结构示意图可参考图5-31，各引脚电极的判断方法可参考图5-32，但红、黑表笔需调换位置。有关P沟道场效应晶体管检测项目也有很多，如放大能力检测、夹断电压检测、饱和源漏电流估测等，这里因篇幅所限就不予多述。一些常见P沟道场效应晶体管型号及主要参数值见表5-5。

图5-33 P沟道JFET结型场效应晶体管结构

图5-34 P沟道JFET场效应管各电极判别方法

表5-5 常见P沟道场效应晶体管的型号及主要参数值

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