小功率晶体管的检测方法

小功率晶体管一般是指最大耗散功率（P_CM）为几百毫瓦，集电极最大允许电流（I_CM）在几百毫安的晶体管。小功率晶体管的型号非常多，并有不同的命名方法，如图5-3～图5-6所示。小功率晶体管主要分为NPN型和PNP型两种类型，且有不同的检测方法。

图5-3 我国三极管型号命名方法

图5-4 日本三极管型号命名方法

图5-5 欧洲三极管型号命名方法

图5-6 美国三极管型号命名方法

1.NPN型小功率晶体管检测

NPN型晶体管的基区为P型材料，而发射区和集电区均为N型材料的双PN结电子器件，其极性的检测方法如图5-7所示。但图5-7中的检测方法仅能判别晶体管的基极和晶体管的好坏，而对其他性能及发射极、集电极等还不能判断。然而，在生产和维修实践中，往往还需要对穿透电流I_CEO、电流放大系数β、发射极与集电极、硅管与锗管等进行测定或判断。

（1）NPN型小功率晶体管基极的判别方法

在判别NPN型晶体管的基极时，可先将万用表黑表笔接任一个电极，假设为基极，然后用红表笔分别测量另外两个电极。若此时，黑表笔电极与另外两电极之间的阻值均很小，且接近相等，则黑表笔所接电极则为基极。其检测方法见图5-7。

图5-7 NPN型小功率晶体管引脚极性检测

（2）NPN型小功率晶体管的发射极和集电极的判别方法

在基极判别出来后，剩下的两个电极中，一个是发射极，另一个是集电极。对于NPN型晶体管的发射极和集电极的判别，可首先将万用表黑表笔接假设集电极，并用潮湿的手指捏住假设的集电极和基极，然后用红表笔接另一个电极，此时若有阻值，则黑表笔所接电极为集电极，红表笔所接电极为发射极。其检测方法如图5-8所示。

图5-8 NPN型晶体管发射极与集电极的判别方法

（3）硅晶体管与锗晶体管的判别方法(www.xing528.com)

在NPN型晶体管中，常用硅或锗制成，但只要根据两者的伏安特性，就可以很方便地将其判别出来。其判别方法如图5-9所示。

（4）电流放大系数β的近似值测量

电流放大系数是晶体管的主要参数之一，但它分为交流放大系数（用β表示）和直流放大系数（用β表示），两者在意义上虽然不同，但数值却很接近。因此可通过测量β来估计β值的大小。其测量方法如图5-10所示。

图5-9 NPN型晶体管中的硅晶体管与锗晶体管的判别方法

图5-10 NPN型小功率晶体管直流放大倍数测量方法

（5）反向截止电流I_CEO、I_CBO的测量

反向截止电流的测量，主要是测量晶体管的I_CEO和I_CBO。I_CEO是在基极开路时集电极与发射极之间的反向截止电流，I_CBO是在发射极开路时集电极与基极间的反向截止电流。测量时，将万用表的挡位拨在R×1k挡，短接红黑表笔，调节零欧姆电位器，使指针指向零欧姆上（此时的满度电流值约为90μA），然后分开表笔，将被测晶体管电极插入相应的晶体管测试插座上（如果是测量I_CBO，则发射极不插入测试插座；如果是测量I_CEO，则基极不插入测试插座），此时指针指示的数值再乘以1.2，即为实际晶体管的反向截止电流。测量时若电流值大于90μA，可将万用表的挡位拨在R×100挡上，此时的满度电流值为900μA。小功率晶体管的反向截止电流一般在100nA以下。

2.PNP型小功率晶体管检测

PNP型晶体管是基区为N材料，而发射区和集电区均为P型材料的双PN结电子器件，其极性的判断方法如图5-11所示，直流放大倍数的测量方法如图5-12所示，有关反向截止电流I_CEO、I_CBO的测量方法与NPN型管相同，只是在测量时应选用P测试插座。一些常见小功率晶体管的型号及主要参数值见表5-1所示。

图5-11 PNP型小功率晶体管引脚极性检测

图5-12 PNP型小功率晶体管直流放大倍数测量方法

表5-1 常见小功率晶体管型号及主要参数值

（续）