小功率二极管检测方法详解

小功率二极管主要包括硅整流二极管、快恢复二极管、开关二极管、稳压二极管、肖特基二极管等，它们均属于普通二极管。

1.硅整流二极管测量

硅整流二极管是利用PN结单向导电特性制成的电子器件，但它可以由硅和锗两种材料制成，因而它也有两种特性，如图4-2所示。因此，在实际检测时，硅二极管和锗二极管的正、反向电阻值有较大不同，如图4-3～图4-6所示。但在实际维修中，检测二极管的正、反向电阻值，仅仅能判断二极管的好坏，而在具体更换和代换时，还必须注意二极管的一些技术参数。一些整流二极管的主要参数的符号及意义见表4-1，一些常见整流二极管型号及主要参数见表4-2。

图4-2 二极管的正向伏安特性

图4-3 普通硅整流二极管正向电阻值检测

图4-4 普通硅整流二极管反向电阻值检测

图4-5 普通锗二极管正向电阻值检测

图4-6 普通锗二极管反向电阻值检测

表4-1 整流二极管的主要参数的符号及意义

（续）

表4-2 一些常见整流二极管型号及主要参数值

（续）

2.快恢复二极管的测量

快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5μs以下），工艺上多采用掺金措施，结构上采用PN结型结构或改进的PIN结构。其正向电压降高于普通二极管（1～2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。快恢复二极管的反向恢复时间为数百纳秒或更长，而超快恢复二极管的反向恢复时间则在100ns以下。因此，快恢复二极管具有良好的开关特性，且正向电流大。

（1）快恢复二极管的封装形式及内部结构

快恢复二极管有多种封装形式，20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装，如图4-7所示。几十安的管子一般采用TO-3P金属壳封装，几百安至几千安的管子通常采用螺栓型或平板型封装方式。在液晶电视机等电子设备中，最常见的主要是DO-15、DO-27、DO-41封装的快恢复或超快恢复二极管。

图4-7 四种快恢复、超快恢复二极管外形及内部结构示意图

（2）快恢复、超快恢复二极管的检测方法

用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法与硅整流二极管的检测方法基本相同，但检测时的正向电阻值略有不同，如图4-8和图4-9所示。一些常见的快恢复、超快恢复二极管的型号及主要参数值见表4-3。

图4-8 FR107快恢复二极管正、反向电阻值检测

图4-9 FMLG16S快恢复型阻尼二极管正、反向电阻值检测

表4-3 一些常见的快恢复、超快恢复二极管的型号及主要参数值

（续）

（续）

(www.xing528.com)

（续）

3.开关二极管的测量

开关二极管是利用PN结单向导电特性制成的半导体开关器件。它的突出特点是具有良好的高频开关特性，其反向恢复时间t_rr仅有几纳秒（ns），且体积非常小。

（1）开关二极管的封装形式及标记方法

开关二极管通常采用DO-35玻璃壳封装，其型号的标记方法，通常是直接将型号打印在玻璃壳外表面上，并用黑色圆环来表示二极管的负极，如图4-10所示。

图4-10 开关二极管实物图

（2）开关二极管的检测方法

图4-11 开关二极管的检测

开关二极管的检测方法与整流二极管的检测方法基本相同，只是其正向电阻值稍大，如图4-11所示。开关二极管的型号较多，其正向电阻值不完全一致，且检测正向电阻值只能初步判断开关二极管是否基本正常。因此，在实际维修更换或代换时，还要注意开关二极管的其他一些技术参数。一些常见开关二极管型号及主要技术参数见表4-4。

表4-4 常见开关二极管的型号及主要参数值

4.稳压二极管的检测

稳压二极管是面结型硅二极管，具有陡峭的反向击穿特性，常采用DO-41铁壳和玻璃封装，如图4-12所示。对于稳压二极管的正、反向电阻值的检测，与稳压二极管的稳压值有很大关系。下面就主要以图4-12中的5.1V和18V稳压二极管为例进行介绍。其检测方法如图4-13～图4-17所示。经实际检测表明，在用MF47型指针式万用表检测稳压二极管的反向导通电阻值时，因表内电压最高为9V，所以只能检测出稳压值在9V以下的稳压二极管。这一点在检测时应注意。一些常见稳压二极管型号及主要参数值见表4-5。

图4-12 稳压二极管实物图

图4-13 5.1V稳压二极管正向电阻值检测

图4-14 5.1V稳压二极管反向电阻值的检测

图4-15 5.1V稳压二极管反向导通电阻值的检测

图4-16 18V稳压二极管正向电阻值的检测

图4-17 18V稳压二极管反向电阻值的检测

表4-5 常见稳压二极管型号及主要参数值

（续）

（续）

注：表中U_Z为稳压二极管稳定电压；R_Z为动态电阻；I_R为反向漏电流；I_ZM为稳压二极管最大工作电流；P_CM为最大耗散功率。

5.肖特基二极管的测量

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件，其最大特点是，反向恢复时间极短（可小到几纳秒），正向导通电压降仅在0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。这是快恢复二极管所无法比拟的。目前，肖特基二极管的种类和型号较多，且有不同的封装形式。但大体上分为内含单管和双管两种形式。它们的检测方法如图4-18所示。几种常见的肖特基二极管型号及主要参数值见表4-6。