为了使负反馈放大电路能稳定地工作,必须消除自激振荡,也就是要采取措施破坏产生自激振荡的幅值条件和相位条件。常用的措施有以下两种。
1.电容校正
电容校正的方法是,在多级负反馈放大电路中的某一级放大电路后面接入一个校正电容,如图6-24所示。一般将校正电容接在极点频率最低的那一级放大电路。频率最低的极点称为主极点,因此,电容校正也称为主极点校正。
图6-24 电容校正示意图
图6-25 电容校正的波特图(www.xing528.com)
在某一级放大电路后面接入校正电容C,该校正电容与该放大电路的负载并联,在中频和低频时,电容容抗很大,因此,并联在负载上的电容对放大电路的影响可以忽略。但是,当频率逐渐升高,则电容容抗逐渐减小,使放大电路的高频放大倍数降低,导致放大电路的频率响应在高频段迅速衰减。如图6-25所示,频率特性有三个极点频率,fp1<fp2<fp3,fp1的频率最低,为主极点。负反馈放大电路没有加校正电容时的波特图如图中实线所示,在f=f0时,,因此,电路产生自激振荡。采取校正措施避免电路产生自激振荡,进行电容校正,由于接入校正电容的放大电路的高频放大倍数降低,其环路增益的幅频特性也将下降,如图中虚线所示。此时,在f=f0时,,说明消除了自激振荡,负反馈放大电路能稳定工作。
图6-26 RC校正示意图
2.RC校正
电容校正虽然能够消除自激振荡,但是放大电路的通频带受到严重损失。由图6-25可知,进行电容校正后,放大电路的高频特性下降很多。采用RC校正,即在极点频率最低的放大级后面接入一个校正网络。在高频时,电容容抗将降低,但因为有电阻与其串联,故高频放大倍数的下降相对小些,因此,和电容校正相比,通频带损失有所改善。RC校正示意图如图6-26所示。
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。