共基放大电路高频响应分析

共射放大电路中，由于存在密勒效应，即对高频等效电路单向化时较大，导致上限截止频率较低。在共基和共集放大电路中，由于较小，不存在密勒效应，因此有比较好的高频响应特性。图5-17所示为共基放大电路及其高频等效模型。

已知共基放大电路如图5-17a所示，可画出高频等效电路如图5-17b所示，其中R_L′=R_c∥R_L。由于r_bb′很小，且通常远小于和，因此r_bb′上电压可忽略不计，r_bb′视为短路，则。为了方便分析电路，将受控电流源进行单向化处理，分别等效到输入和输出回路中，如图5-17c所示。显然，等效变换后输入和输出回路的受控源两端电压和电流与变换前完全相等。

将图5-17c中电容断路即为共基放大电路中频等效电路，易得

式中

用戴维南定理对输入和输出回路分别进行等效变换，得5-17d所示等效电路。式中

则

代入式（5-66）得

式中(www.xing528.com)

图5-17 共基放大电路及其高频等效模型

a）共基放大电路 b）高频等效模型 c）单向化的等效模型 d）用戴维南定理变换后的等效模型

【例5-2】设图5-17a共基放大电路中元件参数均与例5-1相同，即R_s=1kΩ，R_e=850Ω，R_c=R_L=4kΩ，β=50，C_π=24.5pF，r_b′_e=650Ω，C_ob=5pF，试求该电路的上限截止频率。

解：由式（5-68）

由式（5-73）和式（5-74）

因为f_H2＞＞f_H1，所以f_H≈31.8Hz。

由本例可以看出，因为R_i很小，使得R_s′很小，因此f_H1很高。由于C_μ很小，f_H2也很高。由运算结果可以看出，选择C_μ和C_π小的晶体管有利于提高共基放大电路的上限截止频率。与共射放大电路相比，由于共基放大电路中不存在密勒电容效应，因此有很好的高频响应特性。