场效应晶体管主要参数优化

1.直流参数

（1）开启电压U_GS（th）

U_GS（th）是增强型场效应晶体管的一个参数，它是指u_DS为某一固定数值时，使漏极电流i_D大于零所需的最小|U_GS|值。

（2）夹断电压U_GS（off）

U_GS（off）是结型场效应晶体管和耗尽型MOS管的参数，是指u_DS为常量时，使i_D减小到某一微小电流时所需的u_GS值。

（3）饱和漏极电流I_DSS

I_DSS是耗尽型MOS管的参数，是指u_GS=0时的饱和漏极电流。

（4）直流输入电阻R_GS

直流输入电阻R_GS是指栅—源极之间所加直流电压与栅极直流电流之比。结型场效应晶体管的R_GS＞10⁷Ω，而MOS管的R_GS＞10⁹ Ω。

2.交流参数

（1）低频跨导g_m

跨导反映了u_GS对i_D的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的重要参数。g_m的值为u_DS为常数时，漏极电流的变化量与引起这一变化的栅—源极电压变化量之比，即(www.xing528.com)

g_m的单位为西门子（S），g_m的值与场效应晶体管的工作点有关。

（2）极间电容

场效应晶体管的三个电极之间存在的电容称为极间电容，包括C_GS、C_GD和C_DS。极间电容越小，则场效应晶体管的高频性能越好，一般为0.1～3pF。

3.极限参数

（1）最大漏极电流I_DM

I_DM是指场效应晶体管在工作时允许的最大漏极电流。

（2）最大功率P_DM

最大耗散功率P_DM=u_DSi_D，其值受场效应晶体管最高工作温度的限制。

（3）漏—源极击穿电压U（BR）DS

U_（BR）DS是指漏—源极间所能承受的最大电压，场效应晶体管工作时外加在漏—源极间的电压不得超过U_（BR）DS的值。