晶体管的结构和分类详解

通过一定的制作工艺，在同一个硅（或锗）片上制造出三层杂质半导体区域，两层N型夹一层P型，或两层P型夹一层N型，前者称为NPN型晶体管，后者称为PNP型晶体管。三层杂质半导体区域三个区分别称为发射区、基区和集电区，它们引出的电极分别为发射极（e）、基极（b）和集电极（c）。虽然发射区和集电区所用材料相同，但由于掺杂浓度不同，面积也不同，故集电极和发射极不可互换使用。NPN型硅材料晶体管的结构如图1-22a所示，上层的N型杂质半导体区域为发射区，渗杂浓度很高；中间的P型杂质半导体区域为基区，它很薄且渗杂浓度很低；下层的N型杂质半导体区域为集电区，集电区的面积很大。如图1-22b和1-22c所示，三层杂质半导体区域之间形成两个PN结，发射区和基区的PN结称为发射结，集电区与基区的PN结称为集电结。晶体管的图形符号如图1-22d所示，画箭头的电极是发射极，箭头的方向表示发射结正向偏置时电流的方向。箭头向外表示NPN型管，箭头向里表示PNP型管。

晶体管有多种分类方法，按照工作状态，可分为放大管和开关管；按照结构类型，可分为NPN型管和PNP型管；按照工作频率，可分为高频管和低频管；按照功率大小，可分为大功率管、中功率管和小功率管；按照所用材料，可分为硅管和锗管等。

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图1-22 晶体管的结构和图形符号