【摘要】：DSRD被认为可能是固体开关领域中等离子体开关的替代品，SAS被认为可能是过电压间隙气体开关的替代品。漂移阶跃恢复二极管、雪崩晶体管具有开关前沿陡，工作重频高的特点，但由于器件的工艺限制，高功率应用受限。已知典型的DSRD脉冲源的参数：脉冲峰值为2.7kV，前沿为0.7ns，脉宽为1.7ns，抖动小于10ps，重频达300／600kHz。另外，由于DSRD具有较好稳定性，因而功率可合成性较好，采用线路合成和空间合成方法进行组阵，可实现空间合成等效辐射功率增益。
脉冲功率器件的发展都是建立在高压半导体PN结的新效应的基础之上，这些效应包括超快速电压恢复、超快速可逆延迟击穿等。基于这些效应又出现了两类特殊功能的开关器件：一种是快速关断开关，即从导通状态到截止状态过程非常短，其中典型器件的就是漂移阶跃恢复二极管（Drift Step Recovery Diode，DSRD），单只DSRD工作电压在0.5～2.0kV，关断时间为0.5～2.0ns；另一种是快速导通开关，即从截止状态到导通状态的过程非常短，其典型器件为硅雪崩锐化器（Silicon Avalanche Shapers，SAS），单只SAS工作电压为3～10kV，导通时间为50～200ps。DSRD被认为可能是固体开关领域中等离子体开关的替代品，SAS被认为可能是过电压间隙气体开关的替代品。漂移阶跃恢复二极管、雪崩晶体管具有开关前沿陡，工作重频高的特点，但由于器件的工艺限制，高功率应用受限。
已知典型的DSRD脉冲源的参数：脉冲峰值为2.7kV，前沿为0.7ns，脉宽为1.7ns，抖动小于10ps，重频达300／600kHz（气冷／油冷）。另外，由于DSRD具有较好稳定性，因而功率可合成性较好，采用线路合成和空间合成方法进行组阵，可实现空间合成等效辐射功率（ERP）增益。综上所述，DSRD是制作高功率UWS脉冲源的理想开关。(www.xing528.com)
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