【摘要】：大容量GTO，通常是由一个硅片上集成很多个单元GTO并联而成的，单元GTO的结构如图2-1所示。由图2-1可以看到，它和晶闸管结构基本相同，GTO小单元的阴极区域被门极区域包围，GTO的门极区域相对于晶闸管来说要大得多，而且其阴极区域的宽度比较小，这一结构决定了GTO的关断能力，以下将简要分析这一结构的原理。
大容量GTO，通常是由一个硅片上集成很多个单元GTO并联而成的，单元GTO的结构如图2-1所示。
由图2-1可以看到，它和晶闸管结构基本相同，GTO小单元的阴极区域被门极区域包围，GTO的门极区域相对于晶闸管来说要大得多，而且其阴极区域的宽度比较小，这一结构决定了GTO的关断能力，以下将简要分析这一结构的原理。
(www.xing528.com)
图2-2 横向电流效应
普通晶闸管的阴极区域比较大，当其导通后，如果采用从门极加反向电压的方法，那么一部分阴极电流将会通过门极流出，如图2-2所示，P基区就会产生横向电流，导致在远门极区域的电位升高。这样，当在某一点处其电位和阴极电位相当而不足以使得J3结反偏时，门极对此处的电流不再具有抽取能力，某P点处右侧的电位足以维持J3结开通，电流直接通过J3结流向门极，此时阴极仍然有电流通过，晶闸管处于导通状态。
而对于GTO，其各个阴极区域比较小，门极将阴极基本全面包围，在远门极区域的电位不足以维持阴极J3结的导通，当把P基区的非平衡载流子抽取足够后，强制使J3结全面反偏，阻断了阴极电流，这样使得关断成为了可能，对于其关断的详细机理，将在下面详述。
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
