该单粒子效应试验标准指南由EIA/JEDC提出，是一个专门针对单粒子烧毁（SEB）和栅击穿（SEGR）的试验测试标准。该标准清楚地解释了SEB和SEGR的测试要求，以及如何选择加速器提供的离子进行照射测试。在本标准的相关章节中特别指出，“必须注意确保离子的穿透深度大于器件电荷收集区域的深度，这也进一步要求确保离子在穿越晶体管电荷收集区时，其LET值保持不变”。但应当指出的是，几乎所有高压功率MOSFET器件都有一个很深的衬底，典型加速器离子在穿越该区域时，其LET值不会保持不变。对于SEGR测试，EIA/JEDC57标准指南建议在两次辐照之间，使用0.1 BVDC（10%击穿电压）的电压增量，从VDS=0 V开始一直增加电压，直至器件失效。但这种规定电压增长步长的问题太僵化了，而10%击穿电压的步长增量也是一种比较粗略的方法，容易给试验数据带来较大误差。而相关测试试验研究工作表明，对于给定的重离子照射来说，采用较小的电压增量，在确定功率MOSFET器件安全工作区域时，可以给出更细致的分辨水平。该标准指南也提出了如何在两次辐照之间老炼器件，这一点很重要，因为在辐照过程中，DUT可能已经超出了规范指标规定的要求，但仍然在电性能功能方面保持正常。在EIA指南中也指出，大多数的微栅击穿（局部栅击穿SEGR）会在低电压下诱发不合格规范的故障。该指南还规定使用示波器进行SEGR测试，但是，由于现代MOSFET器件具有电流控制能力和电压阻断特性，所以采用示波器的方法被认为是不适当的；尽管使用示波器能够实现快速SEGR事件的捕获，但是对于高压功率MOSFET器件来说，采用示波器进行SEGR测试时，面临着许多技术问题需要克服。(www.xing528.com)
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