图4-33给出了破坏性测试方法的原理示意图,图中示波器主要用来捕获发生单粒子烧毁时的瞬态电流或电压波形。下面主要介绍该方法的具体测试过程和要求。
图4-33 破坏性测试原理示意图
(一)测试要求
(1)在给定离子种类(LET值一定)、固定栅源电压和温度一定的条件下,获得烧毁截面与器件VDS(漏源电压)的关系。
(2)在给定几种离子下区别不同离子的器件发生单粒子烧毁时阈值电压VDS(th)与VGS及温度的关系,照射离子种类应当能够代表实际辐射空间环境最恶劣的情况。
(二)测试方法
一个近似标准的测试漏源电压VDS阈值的方法应当遵循以下几步:
(1)辐照前,在栅源电压VGS等于0或在源极电流增大速率最大(栅极电压通常为20 V)的情况下测量漏源电压VDS,以获得器件正常工作电流。
(2)选择单一栅源电压VGS(从敏感的0 V开始)在以后辐照过程中保持不变,逐渐增大VDS,在每种离子辐照时通量要达到一定数目(如100cm-2)以上;变化偏置条件,重复上述步骤、测试IGSS和IDSS。
(3)当VDS达到一定值时,如果发生单粒子烧毁现象,则可给出器件发生SEB的阈值电压大小。(www.xing528.com)
对破坏性测试系统而言,组成测试系统的主要部件有:
(1)程控电压源(0~300 V),精度要达到1 V,计算机能随时检测与改变程控电压源电压的变化。
(2)电流检测器(0~10 A),精度要达到0.1 A,实现与计算机接口连接并实时检测电流变化情况。
(3)适当参数的高稳定可靠电容。
(5)控制接口电路和DUT。
(6)测控计算机。
破坏性测量技术具有一定的局限性,主要表现在三个方面:第一,破坏性测量方法不能提供统计意义上有效的烧毁概率。第二,器件辐照时增加漏源电压直到器件烧毁。第三,获得有统计意义的数据需要损失许多器件,并且无法获取器件的烧毁截面。
免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。