【摘要】：针对空间带电粒子诱发单粒子瞬态的测量，测试系统的组成通常是基于两个结构单元，即测试“目标”单元和“脉冲俘获”单元。在单粒子瞬态现象的试验评估及测试中，主要针对单粒子瞬态脉宽和幅度进行测量，对脉宽和幅度的准确测量是有效评估电子器件和集成电路抗单粒子瞬态能力的基本要求之一，只有测量结果精确，才能更准确地预测电子器件和集成电路在空间辐射环境中由单粒子瞬态诱发的软错误率。
电子器件和集成电路，特别是线性电路在空间带电粒子辐射环境中发生的单粒子瞬态现象，会在其所在的电子系统中传播，并导致单粒子翻转和错误，造成电子系统发生故障。在空间辐射环境中，由于单粒子瞬态造成的电子器件和集成电路发生软错误的情况主要取决于其瞬态脉冲宽度和幅度，而瞬态脉冲宽度和幅度受多种因素影响，包括辐射环境中分布的粒子种类、能量及被辐照电路的拓扑结构、制备工艺等。针对空间带电粒子诱发单粒子瞬态的测量，测试系统的组成通常是基于两个结构单元，即测试“目标”单元和“脉冲俘获”单元。测试“目标”单元主要由被辐照的电子器件或集成电路组成的DUT部分，这些被照射的集成电路一般由许多门电路组成的单链或多链所构成，这些门电路在带电粒子照射下一般会产生单粒子瞬态脉冲。“脉冲俘获”单元或“脉冲计数”单元主要是实现对单粒子瞬态脉冲的俘获及计数，如果对测量有进一步要求，某些条件下可以实现对单粒子诱发瞬态脉冲形状和时域宽度的记录。在单粒子瞬态现象的试验评估及测试中，主要针对单粒子瞬态脉宽和幅度进行测量，对脉宽和幅度的准确测量是有效评估电子器件和集成电路抗单粒子瞬态能力的基本要求之一，只有测量结果精确，才能更准确地预测电子器件和集成电路在空间辐射环境中由单粒子瞬态诱发的软错误率。在单粒子瞬态现象测试中，就理解单粒子瞬态过程和建模分析方面，对单粒子瞬态脉宽的测试显得尤为重要，这是由于对单粒子瞬态波形特征的综合测试及分析对复杂集成电路的抗单粒子瞬态加固设计具有重要作用，本节主要介绍和分析单粒子瞬态的一般测试方法及要求。(www.xing528.com)
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