【摘要】：尽管静态偏置的测试方法具有一定的局限性，但由于其测试手段易于实现，对器件的单粒子敏感性也能给出定量分析结果，在电子器件和集成电路单粒子效应试验评估和加固设计方法验证中仍被广泛应用。
静态偏置测试方法是单粒子效应测试技术中的最简单方法，在该测试方法中，待测器件在加电偏置条件下，采用重离子束流或脉冲激光微束照射，辐照后或辐照期间对待测器件进行测试，记录重离子或脉冲激光微束辐照引起的错误数据，然后计算统计出发生单粒子现象的截面大小。下面我们以SRAM器件为例来说明。在SRAM器件单粒子效应测试系统中，应主要包括一硬件控制电路，该电路可以将一定存储形态的数据加载到存储器中，然后读回存储器数据并进行逻辑比较分析，在比较分析中，记录检测出存储器中翻转位总数目，该数目除以离子照射期间的离子总注入量，就可以得出单粒子翻转截面大小。在试验测试中，在不同情况下重复上述过程，可以获得较丰富的翻转截面数据，如得出在不同离子入射角下，不同LET值下，不同数据存储形态及不同温度条件下的翻转截面大小。单粒子锁定和单粒子烧毁的测试也可以采用静态偏置测试方法，即对待测器件施加偏置电压，在重离子束流照射过程中，检测器件是否发生了单粒子锁定或烧毁。由于被照射部件在任何时候都可能发生单粒子锁定，这样获得的测试结果只能标定特定LET值下器件的锁定敏感性，但不能应用测试数据去计算单粒子锁定截面。
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