在电子器件和集成电路单粒子效应测试中，主要是实现对单粒子现象的观察和记录，测试中几乎所有单粒子现象都需要对发生截面（发生概率大小的表征）给出测量结果。那么如何测试才能给出较合理、科学准确的发生现象截面的测量结果呢？测试的主要目标是采用必要的测试手段和检测方法能够全面表征电子器件和集成电路对单粒子效应的响应特征。比如，在所有单粒子效应测试中，都采用计算机进行自动控制以适应对电子器件和集成电路单粒子效应响应过程的测试，又如，待测器件（DUT）一般需在真空室中进行性能测试，所以，在测试中，必须解决通过真空室法兰与待测器件进行通信的硬件设计，同样，在真空环境下，待测器件的热耗散与控制也是测试系统设计考虑的基本要求之一。
一般来说，针对集成电路的特性及参数测试是十分复杂的，在这方面有专门的论著可以参阅，在电子工业行业或其他行业领域也有专用测试设备可以使用。但由于在集成电路单粒子效应试验及加固评估验证中，器件或集成电路是需要在辐射场下进行实时测试，一般专用测试设备不适合使用，因此，测试的主要目标是针对单粒子效应引起的错误及故障实现实时检测与记录，但由于集成电路的复杂性，至少可以说在器件测试中去监测错误的出现具有一定的挑战性。为了实现单粒子效应的检测，在测试手段和方法上可以有许多方案去实现，这些测试方法一般情况下可以将其分为四种主要类型，即静态偏置法（Squirt Method）、黄金芯片比较法（Golden-Chip Method）、准黄金芯片法（Pseudo-Golden-Chip Method）、松散式耦合系统法（Loosely Coupled Systems Method）。就这一般的四种测试方法而言，每种方法都有各自的优缺点，对所有器件类型来说，没有哪一种方法是通用的，所以，对上述一般性的四种测试方法的了解是开展单粒子效应检测试验的基本基础，也是开展电子器件和集成电路单粒子效应试验及验证评估研究工作所必须理解和掌握的基本知识之一。(www.xing528.com)
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