在电子器件及集成电路单粒子效应地面模拟试验研究及器件加固性能地面验证评估试验中，由于被试器件要经受重离子、高能质子或脉冲激光束照射，目前对于电子器件与集成电路单粒子效应特征及加固性能评估的一般性测试方法，都采用将待测器件与测试装置分离开来，并安装在适当待测器件（DUT）电路中，根据其结构和参数特点，分析其发生单粒子效应的特性。但由于电子器件和集成电路种类繁多，各类器件的单粒子效应又大相径庭，有时同一器件或集成电路又会同时呈现出几种不同单粒子现象，所以相应的测试方法和模拟试验技术也比较复杂。国际上经过多年的基础理论分析和模拟试验研究，对相关成果进行了总结分析，已形成了一些有关电子器件和集成电路的单粒子效应模拟试验及测试规范，并在科研实践活动及航天器工程设计中得到了较广泛应用。具有一定代表性的有：美国材料测试协会提出的ASTM F1192—1990《重离子在半导体器件中引起的单粒子现象测量标准指南》，美国电子行业协会提出的JEDEC 13.4《重离子在半导体器件中引起的单粒子效应测量过程》，以及欧洲航空航天局提出的空间环境及效应基本规范ESA/SCC No.25100《单粒子效应的测试方法和指南》，我国国军标测试标准《单粒子效应测试方法》。有关这些测试指南及试验规范将在后续相关章节中对其主要内容和应用要求作进一步说明。
本章首先对单粒子效应测试的一般要求及方法作了概要性介绍，这些测试方法是大量具体实践经验基础的总结分析。本章主要内容是结合具体电路，介绍常见单粒子效应的测试方法，在单粒子翻转测试方面，以存储器SRAM和微处理器为具体电路，介绍基本测试要求和测试系统组成；在单粒子瞬态（SET）测试方面，以常见模拟电路（如运算放大器、比较器）为具体电路，介绍基本测试要求和测试系统组成；在单粒子锁定测试方面，以CMOS SRAM为具体电路，介绍基本测试要求和测试系统组成；在单粒子烧毁和单粒子栅击穿测试方面，以功率MOSFET器件为具体电路，介绍试验测试的基本要求和测试系统组成；在单粒子功能中断测试方面，以SDRAM和微处理器为具体电路，介绍试验测试的基本要求和测试系统组成等。(www.xing528.com)
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