【摘要】：重离子诱发的电子-空穴对产生率完全由入射离子的能量和其初始LET值大小决定。τrad为包括离子和二次电子穿过器件结构的时间以及产生的载流子的弛豫时间，数量级是1 ps。图2-34给出了计算得出的275 MeV Fe+离子诱发的电荷径迹分布。需要说明的是，由于在计算模型中未包括离子LET值沿入射路径的变化，那么沿传播方向诱发的电子-空穴对产生率是一样的。图2-34275 MeV Fe+离子诱发的电荷径迹分布图2-35180 MeV Br+离子诱发的电荷径迹分布
重离子诱发的电子-空穴对产生率完全由入射离子的能量和其初始LET值大小决定。对单粒子效应试验而言，离子能量随入射路径的变化可以忽略。因此，初始LET构成了主要变化参数，在单粒子效应的计算分析中，常见的计算分析采用高斯柱状模型：
式中，Li为入射离子在受辐照半导体表面的初始LET值；r0为电子-空穴对的柱状径迹结构半径，通常采用Katz理论计算出的Ag+离子的典型值为0.08～4 μm，在本节给出的计算分析中，选取的典型值是0.1 μm；EP表示在材料中产生一电子-空穴对的平均能量（硅材料的EP值为3.6 eV）。另外，传播的时间问题通常被忽略，产生率的时间变化是一个球形高斯分布。τrad为包括离子和二次电子穿过器件结构的时间以及产生的载流子的弛豫时间，数量级是1 ps。图2-34给出了计算得出的275 MeV Fe+离子（Fe+离子是典型的空间辐射环境宇宙射线的组成部分）诱发的电荷径迹分布。需要说明的是，由于在计算模型中未包括离子LET值沿入射路径的变化，那么沿传播方向诱发的电子-空穴对产生率是一样的。图2-35是计算给出的180 MeV Br+离子在硅材料中产生的电荷径迹分布。
图2-34 275 MeV Fe+离子诱发的电荷径迹分布
图2-35 180 MeV Br+离子诱发的电荷径迹分布(www.xing528.com)
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
