【摘要】：就半导体器件和集成电路而言，在空间辐射环境中的高能重离子作用下，其是否发生单粒子现象，除了器件本身的结构工艺特征和电学功能特性外，起主要作用的因素之一是带电粒子电离过程产生的电荷收集方式和特征。重离子、脉冲激光与半导体材料相互作用产生的电离径迹结构在理解与分析单粒子效应方面是十分重要的基本因素，重离子在半导体材料中产生的电子-空穴对径迹结构分布与离子在材料中的LET值、离子每核子能量等相关。
就半导体器件和集成电路而言，在空间辐射环境中的高能重离子作用下，其是否发生单粒子现象，除了器件本身的结构工艺特征和电学功能特性外，起主要作用的因素之一是带电粒子电离过程产生的电荷收集方式和特征。因此，在单粒子效应试验测试、器件或集成电路加固设计及加固性能验证评估中，为了更好地理解试验现象与测试数据，科学合理地进行分析计算，理解单粒子效应产生的基本物理过程是十分必要的。重离子、脉冲激光与半导体材料相互作用产生的电离径迹结构在理解与分析单粒子效应方面是十分重要的基本因素，重离子在半导体材料中产生的电子-空穴对径迹结构分布与离子在材料中的LET值、离子每核子能量等相关。从电离径迹的空间和时间特征方面来看，其分布半径在微米量级，局部电子-空穴对寿命一般为几皮秒。一定波长的脉冲激光在半导体材料中产生的电子-空穴对分布主要与激光束斑能量空间分布和其在半导体材料中的传播过程等有关。为了提高单粒子效应试验评估的准确性和科学性，需要从物理机理和过程等方面，理解脉冲激光与重离子诱发的，时间为皮秒量级、空间为微米量级上的电离径迹结构及电荷收集过程和机理。本章重点介绍有关高能重离子和质子及脉冲激光束在半导体硅材料中产生的电离径迹结构的基础理论及分析方法。(www.xing528.com)
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