【摘要】：经过一系列的摸索试验，选择在Bi、Sb和Te的温度分别为TBi＝510℃、TSb＝430℃和TTe＝310℃的条件下沉积Bi掺杂的Bi-Sb-Te薄膜，EDS测试显示制备的薄膜的原子组分为Bi0.4Sb1.6Te3。Sb2Te3薄膜在TSb＝430℃和TTe＝270℃的条件下制备。通过控制镀膜时间，获得厚度约200 nm的Sb2Te3薄膜和Bi0.4Sb1.6Te3薄膜，同时利用台阶仪测试，其误差在5%以内。图6-17Bi薄膜成膜速率随温度的变化
本节选用本征Si（111）基片（电阻率为1 000Ω·cm）和玻璃基片利用分子束外延技术来制备Sb2Te3薄膜和Bi原子替代掺杂的BixSb2-xTe3薄膜。在镀膜前，基片首先经过RCA标准程序清洗。在本节中仍然选用共蒸发生长外延薄膜，高纯度（99.999%）的Bi、Sb和Te分别被放置在不同的束源炉中，适当地调控其蒸发速率比例以制备出满足需要的薄膜。Sb和Te元素单独沉积的速率与温度的关系在之前已经得出，在此基础上设计试验研究Bi元素单独沉积速率与束源炉温度的关系。镀膜过程中基片保持室温，制备好的薄膜厚度用台阶仪测试，获得不同温度下的成膜速率，Bi薄膜的成膜速率随温度的变化曲线如图6-17所示。
本节选定在基片加热条件下外延生长薄膜，基片温度设定为280℃。经过一系列的摸索试验，选择在Bi、Sb和Te的温度分别为TBi＝510℃、TSb＝430℃和TTe＝310℃的条件下沉积Bi掺杂的Bi-Sb-Te薄膜，EDS测试显示制备的薄膜的原子组分为Bi0.4Sb1.6Te3。Sb2Te3薄膜在TSb＝430℃和TTe＝270℃的条件下制备。通过控制镀膜时间，获得厚度约200 nm的Sb2Te3薄膜和Bi0.4Sb1.6Te3薄膜，同时利用台阶仪测试，其误差在5%以内。(www.xing528.com)
图6-17 Bi薄膜成膜速率随温度的变化
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