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热导率的理论分析

时间:2023-06-25 理论教育 版权反馈
【摘要】:1)多层热电薄膜热传输的界面效应多层薄膜热电转换机理研究中最重要的一个参数为热导率,在纳米尺度下,影响多层薄膜热导率的主要是结构缺陷对声子的散射机制,包括层与层之间界面对声子的散射和层内缺陷对声子的散射。除了传统的解析方法,直接数值模拟技术也被应用于多层薄膜热导率的研究之中。在纳米尺度范围内,作为实验的有效补充手段,MD方法被广泛应用于热传导的研究工作中。

热导率的理论分析

1)多层热电薄膜热传输的界面效应

多层薄膜热电转换机理研究中最重要的一个参数为热导率,在纳米尺度下,影响多层薄膜热导率的主要是结构缺陷对声子的散射机制,包括层与层之间界面对声子的散射和层内缺陷对声子的散射。

除了传统的解析方法,直接数值模拟技术也被应用于多层薄膜热导率的研究之中。分子动力学(molecular dynamics,MD)方法通过求解有相互作用的各个粒子的运动方程,得到每个粒子空间位置和运动状态随时间的演进状况,从而统计出材料的宏观行为特性。在纳米尺度范围内,作为实验的有效补充手段,MD方法被广泛应用于热传导的研究工作中。

2)多层热电薄膜界面处的电声子耦合效应(www.xing528.com)

对于半导体-金属多层薄膜系统,其热传输特性除了界面效应,还包括电声子耦合效应。众所周知,金属中主要的能量携带载体电子,而在半导体中对能量转移起主导作用的是声子。当金属-半导体的界面间发生热传输时,电子和声子必然会进行能量传递。金属-半导体结构产生界面热阻的原因有两个,一是金属中的声子与半导体内的声子相互作用;二是金属中的电子与半导体声子之间的相互作用。

为了系统研究金属-半导体多层薄膜界面处的电子和声子耦合效应,本节针对Au/Sb2Te3以及Ag/Sb2Te3多层薄膜的热导率采用双温度模型进行了计算模拟,并与实验测量结果进行了对比,对比结果如图4-18所示。从图4-18中可以看出,双温度模型的模拟结果与实验结果相符,特别是当金属-半导体多层薄膜的厚度比较大的时候,模拟结果和实验结果较为一致。研究表明,金属-半导体多层薄膜系统的界面之间有着较低的耦合因子值,其数值范围一般为1016~1017W·m-3·K-1,因此,从工程应用的角度来讲,通过合理优化金属层的厚度可以有效降低多层薄膜的有效热导率,而不削弱电子的传输能力,进而增强低维热电材料的热电转换优值,提高热电转换效率

图4-18 多层薄膜双温度模型与实验结果对比

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