【摘要】：本节采用磁控溅射法制备Au／Sb2Te3多层薄膜。基片在丙酮及无水乙醇中超声10 min，紧接着放入BOE中浸泡1 min以去除表面氧化层，之后用超纯水洗净、氮气吹干，最后放入烘箱中烘烤15 min。分别选用纯度为4N的纯Au靶和Sb2Te3的合金靶交替沉积制得多层薄膜样品Au／Sb2Te3。选择本底真空为4×10-7Torr，控制镀膜气压为3 mTorr。图4-1Au和Sb2Te3靶材的溅射功率与沉积速率的关系表4-1Au／Sb2Te3多层薄膜制备实验参数
本节采用磁控溅射法制备Au／Sb2Te3多层薄膜。选用N＜100＞硅片作为基片，其电阻率为5 000Ω·cm。基片在丙酮及无水乙醇中超声10 min，紧接着放入BOE中浸泡1 min以去除表面氧化层，之后用超纯水洗净、氮气吹干，最后放入烘箱中烘烤15 min。分别选用纯度为4N的纯Au靶和Sb2Te3的合金靶交替沉积制得多层薄膜样品Au／Sb2Te3。将Sb2Te3放置在射频靶处，金靶放置在直流靶处。选择本底真空为4×10-7Torr，控制镀膜气压为3 mTorr。镀膜时设置Au的溅射功率为25 W，Sb2Te3的溅射功率为20 W。此时从磁控溅射晶振读数可知，对应的沉积速率分别约为0.51Å／s和0.36Å／s，此读数与图4-1中的拟合值基本一致。如表4-1所示为薄膜制备的详细参数。共制备了6组Au／Sb2Te3多层样品，周期都为10，且每个周期的Sb2Te3厚度均为13 nm，改变Au的厚度分别为0 nm、1 nm、3 nm、5 nm、10 nm和20 nm，其中0 nm作为纯Sb2Te3的热导率参考值。
图4-1 Au和Sb2Te3靶材的溅射功率与沉积速率的关系(www.xing528.com)
表4-1 Au／Sb2Te3多层薄膜制备实验参数
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