【摘要】：计算得到Si0.75Ge0.25／Si、Au／Si、Cr／Si和Ti／Si的周期厚度分别为21.580 nm、20.501 nm、23.686 nm和19.886 nm。图3-20为样品的结构示意图，样品总共有20层，由X和Si交替沉积得到；图3-20为Cr／Si样品的SEM图像，从图中可以看出制备的结构和设计的厚度相近，并且和台阶仪测试得到的厚度相符，其中Cr层和Si层的厚度分别为9.4 nm和14.2 nm，周期厚度为23.6 nm。图3-20周期性X／Si薄膜结构结构示意图；Cr／Si多层薄膜的截面SEM图
采用同步辐射微聚焦X射线源对样品进行掠入射小角散射（GISAXS）测量膜厚，如图3-19所示。
图3-19 沿z方向的一维矩形积分和Qz-n拟合直线
（a）Si0.75Ge0.25／Si；（b）Au／Si；（c）Cr／Si；（d）Ti／Si
从Qz-n拟合直线的斜率便可以得到样品的周期厚度。计算得到Si0.75Ge0.25／Si、Au／Si、Cr／Si和Ti／Si的周期厚度分别为21.580 nm、20.501 nm、23.686 nm和19.886 nm。由于所制备的样品周期数都为10，因此计算得到样品的总厚度为215.80 nm、205.01 nm、236.86 nm和198.86 nm。它们与通过台阶仪测试得到的结果（211.5 nm、209.9 nm、237.5 nm和203.5 nm）相符。(www.xing528.com)
通过场发射扫描电子显微镜（ULTRA55-36-69，德国Zeiss）来检测样品的纵向结构。图3-20（a）为样品的结构示意图，样品总共有20层，由X和Si交替沉积得到；图3-20（b）为Cr／Si样品的SEM图像，从图中可以看出制备的结构和设计的厚度相近，并且和台阶仪测试得到的厚度相符，其中Cr层和Si层的厚度分别为9.4 nm和14.2 nm，周期厚度为23.6 nm。因为原子序数不同，Si层比Cr层看起来更暗一些。
图3-20 周期性X／Si薄膜结构
（a）结构示意图；（b）Cr／Si多层薄膜的截面SEM图
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