【摘要】：采用纯度分别为5N、4N、3N5和4N5的Si0.75Ge0.25、Au、Cr和Ti靶材分别和纯度为5N的Si靶在室温下交替沉积来制备待测样品。图3-18Au、Si、Si0．75Ge0．25、Cr和Ti五种材料沉积 速率与溅射功率的关系表3-8列出了X／Si多层薄膜的制备参数，共制备了4个多层薄膜，其中SiGe／Si为半导体-半导体界面多层薄膜，而Au／Si、Cr／Si、Ti／Si为金属-半导体界面多层薄膜。表3-8X／Si多层薄膜的制备参数及厚度
本节采用磁控溅射法制备X（X＝Si0.75Ge0.25，Au，Cr，Ti）／Si多层薄膜。采用的基片为N＜100＞的硅片，其电阻率为1 000Ω·cm。在镀膜前首先将基片分别在丙酮和无水乙醇中超声10 min以去除基片表面的附着物，然后把基片放置在BOE溶液（HF∶NH4F＝1∶6）中浸泡1 min以去除表面的氧化层和氮化层，之后再用超纯水冲洗并用氮气吹干。采用纯度分别为5N、4N、3N5和4N5的Si0.75Ge0.25、Au、Cr和Ti靶材分别和纯度为5N的Si靶在室温下交替沉积来制备待测样品。采用的靶材直径都为50 mm，其中Au、Cr、Ti靶为金属靶，厚度为6 mm；而Si0.75Ge0.25和Si是半导体靶，厚度为3 mm，并和3 mm的Cu基座绑定以提高其散热性。镀膜时的本底真空是5×10-7Torr，采取的溅射气压为3 m Torr，基片旋转的速率为20 r／min。图3-18为几种材料沉积速率与溅射功率的关系。
图3-18 Au、Si、Si0．75Ge0．25、Cr和Ti五种材料沉积
速率与溅射功率的关系
表3-8列出了X／Si多层薄膜的制备参数，共制备了4个多层薄膜，其中SiGe／Si为半导体-半导体界面多层薄膜，而Au／Si、Cr／Si、Ti／Si为金属-半导体界面多层薄膜。其中X／Si的厚度比控制在2∶3，周期数都是10，样品的总厚度控制在200 nm。(www.xing528.com)
表3-8 X／Si多层薄膜的制备参数及厚度
免责声明：以上内容源自网络，版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。
