【摘要】：本节采用磁控溅射法制备Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜，磁控溅射设备型号为PVD75。利用纯度均为99.999%的Si和Si0.75Ge0.25靶材在室温下交替沉积制备Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜样品，当真空度达到本底真空后开始镀膜。图3-1Si和Si0．75Ge0．25材料沉积速率与溅射功率之间的关系表3-1列出了Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜的制备参数，共制备了5个周期厚度从2.5 nm至50 nm的Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜，其中Si和Si0.75Ge0.25的厚度比控制在3∶2，而样品总厚度均在500 nm左右。表3-1Si／Si0．75Ge0．25多层薄膜的制备参数
本节采用磁控溅射法制备Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜，磁控溅射设备型号为PVD75（Kurt J.Lesker，美国）。基片选择Si＜100＞，其电阻率为1 000Ω·cm。在镀膜前首先将Si＜100＞基片分别用丙酮和乙醇溶液超声清洗10 min，清洗完后用超纯水冲洗并用N2吹干。利用纯度均为99.999%的Si和Si0.75Ge0.25靶材在室温下交替沉积制备Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜样品，当真空度达到本底真空后开始镀膜。如图3-1所示为Si和Si0.75Ge0.25材料沉积速率与溅射功率之间的关系，Si和Si0.75Ge0.25的沉积速率与溅射功率基本呈线性关系。在沉积过程中Si和Si0.75Ge0.25的溅射功率均控制为100 W，Ar工作压强为3 m Torr（1 Torr＝133 Pa），用膜厚监控仪检测到此时两者的沉积速率分别约为0.17Å／s和0.22Å／s（1Å＝10-10m），与图3-1中线性拟合值一致。在溅射过程中，为了保证膜厚的均匀性，基片保持旋转速率为20 r／min。
图3-1 Si和Si0．75Ge0．25材料沉积速率与溅射功率之间的关系
表3-1列出了Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜的制备参数，共制备了5个周期厚度从2.5 nm至50 nm的Si／Si0.75Ge0.25多层薄膜，其中Si和Si0.75Ge0.25的厚度比控制在3∶2，而样品总厚度均在500 nm左右。(www.xing528.com)
表3-1 Si／Si0．75Ge0．25多层薄膜的制备参数
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