【摘要】:化学抛光的目的是改善工件的表面质量,使表面平滑化、光泽化。化学抛光设备简单,不需外加电源及其设备,操作简单,成本低廉。表7.5-3 金属材料和半导体材料的化学抛光工艺要求7.5.2.4 化学抛光的应用化学抛光一般应用于形状复杂的金属零件或金属零件内表面的精整加工,也常用于半导体材料机械加工后的去除表面杂质和变质层。
7.5.2.1 化学抛光的基本工作原理
化学抛光(Chemical Polishing,CP)是靠化学试剂对样品表面凹、凸不平区域的选择性溶解作用消除磨痕、浸蚀整平的一种方法。化学抛光的目的是改善工件的表面质量,使表面平滑化、光泽化。化学抛光一般采用硝酸或磷酸等作氧化剂溶液,在一定条件下,使工件表面氧化,此氧化层又能逐渐溶入溶液,表面微凸起处被氧化较快且多,微凹处则被氧化慢且少。同样凸起处的氧化层又比凹处更多、更快地扩散,溶解于酸性溶液中,因此使加工表面逐渐被整平,达到表面平滑化和光泽化。
7.5.2.2 化学抛光的特点
化学抛光可以大面、多件抛光薄壁、低刚度零件,可以抛光形状复杂的零件以及零件的内表面。化学抛光设备简单,不需外加电源及其设备,操作简单,成本低廉。化学抛光的缺点主要体现在以下几方面:
1)化学抛光的质量不如电解抛光。
2)化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难,在应用上受到限制。
3)化学抛光操作过程中,硝酸散发出大量黄棕色有害气体,对环境污染非常严重,且抛光液用后处理较麻烦。(www.xing528.com)
7.5.2.3 化学抛光的工艺要求
表7.5-3 金属材料和半导体材料的化学抛光工艺要求
7.5.2.4 化学抛光的应用
化学抛光一般应用于形状复杂的金属零件或金属零件内表面的精整加工,也常用于半导体材料机械加工后的去除表面杂质和变质层。
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