随着半导体和集成电路技术的发展，当前电子器件的品种、功能浩如烟海，在这里无法对所有有源器件的特性及其测量方法一一进行介绍，因而本节只能简单罗列一些常见半导体器件需要测量的基本特性参数。
常见的半导体分立器件包括二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管及光电子器件等。据不完全统计，所需要测量的参数多达700个以上。表10-7列出了几种常用分立器件的主要参数。根据器件参数的性质可以将这些参数划分为若干类，下面简单介绍各类参数。
1）直流参数：指在恒定不变的直流激励条件下所体现出来的各项电气特性。以晶体管为例，常见的直流参数包括器件的PN结反向击穿电压、反向截止电流、正向电压、饱和电压和直流放大倍数等。当前的直流参数测量仪器通常是一种微机控制的仪器，内部包含若干测量用可控直流信号源，通过器件适配端口输出，而后利用直流电压表、电流表测量器件的响应输出，从而得到在一定激励条件下的电气特性。所有这些部件的工作由微处理器统一控制。
2）交流参数：指在一定的交流正弦激励或瞬态脉冲激励下所体现出来的各项电气特性，例如晶体管的特征频率、微变等效模型的交流参数、开关二极管的开关延迟时间、极间电容、噪声系数及交流网络参数（如晶体管的交流H参数、Y参数及S参数）等。交流参数测量比直流参数测量要复杂得多，有频域测试和时域测试两种方法，即稳态测试技术和瞬态测试技术。相应的测量仪器也要复杂得多，首先，由于这类参数属无源被测量，仪器要提供激励信号，其内部须具备各种信号发生电路，例如测量器件的截止频率需正弦扫描信号发生器，测量开关延迟时间需要矩形脉冲信号发生器等；其次由于很多交流参数涉及高频检测，因此其内部的电压检测要求有足够高的采样速度以及数据处理能力。(www.xing528.com)
3）极限参数：指器件能够安全工作的参数范围，如果某些参数超过这些范围，就可能造成器件的损坏，例如二极管的最大正向导通电流、反向击穿电压等。测试大功率晶体管在直流和脉冲状态下的安全工作区等。这类测量仪器通常需要产生一些高电压和大电流信号。在大电流测试时一般数据手册中规定采用施加脉冲电流的方式来测试，减少器件由于电流过大引起的附加温升，或导致器件损坏，一般规定脉冲电流宽度小于300μs，占空比小于2%。
表10-7 几种常用分立器件的主要参数
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