带可移动正电荷的半导体是P型半导体，激光器探测器的本质是一个 PN结。
闪锌矿结构：大部分的Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体（如GaAs）具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格的结构类似，只是两个相互套购的面心立方副晶格中的组成原子不同，其中一个副晶格为Ⅲ族原子（Ga），另一个副晶格为Ⅴ族原子（As）。
下面用硅晶体来解释N型半导体和P型半导体，原理是相通的。
B是硼原子，放在Si的位置，但只有3个电子，还能共享么？
原子核的正电荷数量与电子的负电荷数量相等的本征半导体，呈现电 中性。
缺一个电子，价带中形成一个可移动的空穴（Hole，正电荷）。现在仍然是电中性，但有可移动正电荷的半导体，成为P型半导体。
多一个电子，价带中形成一个可移动的电子（负电荷）。现在的半导体就成了带可移动负电荷的半导体，称为N型半导体，这个可移动的电荷，就是载流子。
垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构也有N型、P型半导体。
脊波导型（RWG）激光器结构：
异质结（BH）激光器结构：
P型半导体与N型半导体结合形成了PN结，PN结呈现的特性是半导体光电世界的基础。
空穴是载流子，电子也是载流子，空穴多，叫作多数载流子，简称多子；电子少，叫作少数载流子，简称少子。
空穴扩散，电子扩散，P型半导体和N型半导体结合后，形成一个特殊的区域PN结：(www.xing528.com)
这个PN结
有了空穴，有了电子，能形成电势么？这是电势，内建电势。有了电势，就拥有了能量。
PN结的内在电势，阻止空穴和电子继续扩散，最后形成平衡状态。
有一天这种平衡被打破了，外加电场带来源源不断的可移动的空穴和电子，攻破了PN结的内建电势。
空穴的正向移动，电子的反向移动，首次突破PN结内建电势，这是正向导通电压。
总结：
（1）P型半导体与N型半导体结合，扩散作用形成PN结。
（2）PN结内建电势，阻止空穴与电子进一步扩散，形成平衡。
（3）外加正向电场，空穴正向跑，电子逆向跑，PN结正向导通。
（4）外加反向电场，空穴阻止电子，电子阻止空穴，PN结反向截止。
（5）外加特大反向电场，攻破电子与空穴的阻止力，PN结反向击穿。
P型半导体材料与N型相同，叫同质结，不相同叫异质结，异质结使得半导体激光器取得突破性进展。
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