单接合太阳电池的转换效率与材料带隙的大小密切相关,比带隙小的能量,即长波长的光子入射时,将不被吸收而穿透半导体; 比带隙大的能量,即短波长的光子入射时,电子在导带,空穴在价带中处于激发状态,但电子在极短时间内放出过剩能量并在带底处于稳定状态。为了解决以上问题,人们提出了多接合太阳电池,即积层太阳电池。
积层太阳电池是指将多个太阳电池进行多接合 (积层) 而成的太阳电池,将晶体结构相同的多个太阳电池进行积层则称为同质积层,将晶体结构不同的多个太阳电池进行积层则称为异质积层 (Tandem)。例如,晶硅太阳电池可吸收从红色可见光到近红外线范围的光能,而非晶硅太阳电池可吸收从紫外线光到可见光范围的光能,如果将不同材料的太阳电池进行积层,则可吸收更广波长范围的太阳的光能,提高太阳电池的转换效率。积层太阳电池有HIT太阳电池 (非晶硅与单晶硅)、薄膜硅混合太阳电池 (非晶硅与单晶硅) 以及微晶硅太阳电池 (非晶硅与微晶硅) 等种类,这里主要介绍HIT太阳电池。
图3.29为积层太阳电池 (Tandem Solar Cell) 的构造,它是由上层太阳电池和下层太阳电池积层而成的多接合型太阳电池。入射太阳光首先被上层太阳电池吸收(短波长的光) 并产生电能,未被上层太阳电池吸收的太阳光 (长波长的光) 则穿过上层太阳电池,照射在下层太阳电池上并产生电能。可见,这种太阳电池可利用较宽波长范围的太阳光能量。
图3.29 积层太阳电池的构造
积层太阳电池可以由多种不同类型的太阳电池构成,如上层为非晶硅,下层为多晶硅,或者上层为非晶硅,下层为微晶硅等,也可以由化合物半导体等材料构成。
太阳电池组件安装在屋顶时,如果太阳电池组件无冷却用的通风层,则太阳电池组件的温度会上升,夏天晴天时会达到70℃以上,导致太阳电池组的转换效率随温度上升而下降。为了解决这一问题,人们研制出了HIT太阳电池。
HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 型太阳电池由薄膜非晶硅与单晶硅积层而成,如图3.30所示。为了防止表面反射,在N型单晶硅片的表面和背面分别使用了I/P型非晶硅与I/N型非晶硅,然后在上面加装透明电极。
HIT太阳电池由于在其中形成了I层,使非晶硅与单晶硅层的表面特性提高, 100cm2太阳电池的转换效率达到24.7%,组件的转换效率达到19%以上,为世界最高。还有,HIT太阳电池的温度系数为-0.33%,低于单晶硅太阳电池的温度系数-0.48%,因此,HIT太阳电池可用于温度较易上升的场合以减少出力的下降。
HIT太阳电池具有如下的特点:(www.xing528.com)
(1) 结构简单、转换效率高;
(2) 与传统的晶硅系太阳电池比较,温度上升对其特性的影响较小,因此实际的发电量较多;
图3.30 积层太阳电池
(3) 与传统的扩散型晶硅系太阳电池芯片制造时的接合形成温度900℃相比,非晶硅的温度在200℃以下,比较节省能源;
(4) 由于采用了表面、背面对称的结构,可减少因热膨胀引起的不均匀,因此可使用薄型衬底,节省资源;
(5) 由于可以利用背面的入射光进行发电,因此这种电池可两面发电。
HIT太阳电池组件如图3.31所示。目前广泛用于高温、转换效率、出力要求较高的太阳能光伏系统中。
图3.31 HIT太阳电池组件
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