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其他类型存储器的介绍和应用

时间:2026-01-23 理论教育 浅陌 版权反馈
【摘要】:由于快闪存储器不需要存储电容,故其集成度高,制造成本低。随着快闪存储器技术的不断发展,其高集成度、大容量、低成本及使用方便等特点已受到人们的普遍重视。可以说,快闪存储器的前景非常看好。习题7.14.多端口存储器多端口存储器是为适应更复杂的信息处理需要而设计的一种在多处理机应用系统中使用的存储器。

1.快闪存储器

快闪存储器(flash memory)采用了与EPROM中的浮置栅MOS管相似的结构,同时保留了E2 PROM用隧道效应擦除的快捷特性。从理论上看,快闪存储器属于ROM型存储器,但它可以随时改写信息;从功能上看,它又相当于RAM。

由于快闪存储器不需要存储电容,故其集成度高,制造成本低。它使用方便,既具有RAM读/写的灵活性和较快的访问速度,又具有ROM在掉电后不丢失信息的特点,所以快闪存储器技术发展十分迅速。现在其单片容量已经达到32 GB,其可重写编程的次数已经达到100万次。

随着快闪存储器技术的不断发展,其高集成度、大容量、低成本及使用方便等特点已受到人们的普遍重视。快闪存储器已越来越多地取代E2 PROM,并广泛应用于通信设备、办公设备、医疗设备、工业控制等领域。可以说,快闪存储器的前景非常看好。

2.非易失性静态读写存储器

非易失性静态读写存储器(NVSRAM)是美国Dallas半导体公司推出的封装一体化电池后备供电的静态读写存储器,它以高容量、长寿命锂电池为后备电源,在低功耗的SRAM芯片上加上可靠的数据保护电路所构成。其性能和使用方法与SRAM一样,在断电情况下,所存储的信息可保存10年。其缺点主要是体积稍大,价格较高。此外,还有一种NVSRAM,不需电池作后备电源,它的非易失性是由其内部机理决定的。

3.串行存储器

串行存储器是为适应某些设备对元器件的低功耗和小型化的要求而设计的。其主要特点是信息的存取方式与RAM不同,它所存储的数据是按一定顺序串行写入和读出的,故对每个存储单元的访问与它在存储器中的位置有关。(https://www.xing528.com)

习题7.1

4.多端口存储器

多端口存储器(MPRAM)是为适应更复杂的信息处理需要而设计的一种在多处理机应用系统中使用的存储器。其特点是有多套独立的地址机构(多个端口),共享存储单元的数据。多口RAM一般可分为双端口SRAM、VRAM、FIFO、MPRAM等类型。

习题7.1

4.多端口存储器

多端口存储器(MPRAM)是为适应更复杂的信息处理需要而设计的一种在多处理机应用系统中使用的存储器。其特点是有多套独立的地址机构(多个端口),共享存储单元的数据。多口RAM一般可分为双端口SRAM、VRAM、FIFO、MPRAM等类型。

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