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场效应晶体管的检测及好坏判断方法

时间:2023-06-24 理论教育 版权反馈
【摘要】:为了保护绝缘栅型场效应晶体管,必须用手握住螺丝刀绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。图5-29 常用场效应晶体管引脚顺序2.绝缘栅型场效应晶体管的检测判定电极将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。

场效应晶体管的检测及好坏判断方法

1.结型场效应晶体管的检测

(1)引脚识别

场效应晶体管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个引脚间的正、反向电阻。当某两个引脚间的正、反向电阻相等,均为数千欧时,则这两个引脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个引脚即为栅极G。

【重要提醒】

对于有四个引脚的结型场效应晶体管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

(2)判定栅极

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应晶体管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应晶体管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。

【重要提醒】

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应晶体管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

(3)估测场效应晶体管的放大能力

将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应晶体管加上1.5V的电源电压。这时指针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDSID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到指针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时指针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若指针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应晶体管用欧姆档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时指针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使指针向右摆动,多数管子的RDS增大,指针向左摆动。无论指针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。

【重要提醒】

本方法也适用于测绝缘栅型场效应晶体管。为了保护绝缘栅型场效应晶体管,必须用手握住螺丝刀绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

绝缘栅型场效应晶体管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时指针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

目前常用的结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管的引脚顺序如图5-29所示。

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图5-29 常用场效应晶体管引脚顺序

2.绝缘栅型场效应晶体管的检测(www.xing528.com)

(1)判定电极

将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某引脚与其他引脚的电阻都是无穷大,证明此引脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D极间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。

日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。

(2)检查放大能力(跨导)

将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,指针应有较大的偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中指针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

【重要提醒】

测量绝缘栅型场效应晶体管之前,先在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位,以便静电击穿绝缘栅型场效应晶体管。

3.VMOS场效应晶体管的检测

(1)判定栅极G

将万用表拨至R×1k档,分别测量三个引脚之间的电阻。若发现某引脚与其他两引脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此引脚为G极,因为它和另外两个引脚是绝缘的。

(2)判定源极S、漏极D

由于在S-D极间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极。

(3)测量漏-源通态电阻RDS(on)

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。

(4)检查跨导

将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,指针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。

【重要提醒】

VMOS管分为N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。有少数VMOS管在G-S极间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。

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