场效应晶体管简介

跨导g_m定义为

跨导表示U_GS对I_D的控制能力的大小。实际中高跨导的管子具有更好的频率响应。

（4）漏源击穿电压U_B（DS）

U_B（DS）决定了VDMOS的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设立的极限参数。

（5）栅源击穿电压U_B（GS）

U_B（GS）是为了防止绝缘栅层因栅源间电压过高发生介电击穿而设立的参数。一般U_B（GS）=±20V。

（6）最大漏极电流I_DM

I_DM表征器件的电流容量。当U_GS=10V，U_DS为某一数值时，漏源间允许通过的最大电流称为最大漏极电流。

（7）最高工作频率fm

图6-13 电抗器的接入法

综上所述，变频器输入电路的无功功率是由谐波电流产生的。如图6-11所示，谐波电流分量还较大，因此功率因数是较低的，应设法改善。

1.改善功率因数的方法 针对以上分析的情况，在变频器输入电路中，改善功率因数的根本途径是削弱谐波电流。为此，在电路中串入电抗器是比较有效的办法。具体方法有两种，如图6-13所示。

（1）直流电抗器L_D串接于整流桥和滤波电容之间。直流电抗器的结构较简单、体积小，且滤波效果好，可使功率因数提高到0.95。

（2）交流电抗器L_A串接于三相的输入电路中。交流电抗器的滤波效果略差，只能将功率因数提高到0.75～0.85。但它除了滤波功能外，还具有以下功能：

1）抑制输入电路中的浪涌电流。

2）削弱电源电压不平衡的影响。(www.xing528.com)

接入电抗器后，各次谐波电流与电感的关系如图6-14所示。由图可知，随着电感量的增大，各次谐波电流都将显著减小。

2.电抗器的选用

（1）图6-14表明，电感越大，改善功率因数的效果越好。但电感太大，也会增大基波电流的电压降，减小变频器的输入电压。

所以，选用电抗器时，电抗器上的电压降以不大于额定电压的3%为宜。

定义为

式中，C_IN为器件的输入电容。

（8）开关时间t_on与t_off

1）开通时间：t_on=t_d+t_r

延迟时间t_d：对应输入电压信号上升沿幅度为10%U_im到输出电压信号下降沿幅度为10%U_om的时间间隔。

上升时间t_r：对应输出电压幅度由10%U_om变化到90%U_om的时间，这段时间对应于U_i向器件输入电容充电的过程。

2）关断时间：t_off=t_s+t_f

存储时间t_s：对应栅极电容存储电荷的消失过程。

下降时间t_f：在VDMOS中，t_on和t_off都可以控制得比较小，因此器件的开关速度相当高。

VDMOS的开通时间和关断时间均为数十纳秒。