首页 理论教育 晶体管的检测方法及好坏判断

晶体管的检测方法及好坏判断

时间:2023-06-24 理论教育 版权反馈
【摘要】:下面以NPN型晶体管好坏的检测为例予以说明。接下来,可进一步判断晶体管的好坏。对于PNP型晶体管,用上面的方法判断时将万用表的红、黑表笔对调一下即可。

晶体管的检测方法及好坏判断

1.指针万用表检测晶体

(1)判断基极和管型

由于晶体管的基极对集电极和发射极的正向电阻都较小,据此,我们可先找出基极,其方法是用万用表的黑表笔接基极、红表笔接另外两个极,阻值都很小,则为NPN型晶体管的基极;如果红表笔接基极、黑表笔接另外两个极,阻值都很小,则为PNP型晶体管的基极,如图4-34所示。

978-7-111-50703-1-Chapter04-54.jpg

图4-34 判断基极和管型

(2)判断集电极和发射极

在晶体管的类型和基极确定后,将红、黑表笔分别接待测的集电极和发射极,基极通过20~100Ω的电阻与集电极相接。根据晶体管共发射极电流放大原理可知,PNP型晶体管集电极接红表笔(电池负极),指针偏转角将变大;对于NPN型晶体管,则集电极接黑表笔时,指针偏转角变大。这样就可判断出集电极和发射极。

也用手捏住基极与另一个电极,利用人体电阻代替基极与集电极相接的那个20~100Ω的电阻,则同样可以判别出集电极和发射极,如图4-35所示。

978-7-111-50703-1-Chapter04-55.jpg

图4-35 判断集电极和发射极

指针式万用表测量晶体管口诀

晶体管,两类型,三个极,E、B、C。

万用表,欧姆档,找基极(B),固黑笔,NPN,固红笔,PNP。

NPN,捏基极(B),阻值小,黑接集(C)。

PNP,捏基极(B),阻值小,红接集(C)。

剩余极,是发射(E)。

2.数字万用表检测晶体管

利用数字万用表不仅能判定晶体管的电极、测量管子的电流放大系数hFE,还可鉴别硅管与锗管。

(1)判定基极

将数字万用表的量程开关置于二极管档,红表笔固定任接某个引脚,用黑表笔依次接触另外两个引脚,如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”,则红表笔所接的引脚就是基极B。如果在两次测试中,一次显示值小于1V,另一次显示溢出符号“1”,表明红表笔接的引脚不是基极B,此时应改换其他引脚重新测量,直到找出基极B为止。

(2)判定NPN型管与PNP型管

仍使用数字万用表的二极管档。按上述操作确认基极B之后,将红表笔接基极B,用黑表笔先后接触其他两个引脚。如果都显示0.500~0.800V,则被测管属于NPN型;若两次都显示溢出符号“1”,则表明被测管属于PNP型。

(3)判定集电极C与发射极E(兼测hFE值)

区分晶体管的集电极C与发射极E,需使用数字万用表的hFE档。如果假设被测管是NPN型管,则将数字万用表拨至hFE档,使用NPN插孔。把基极B插入B孔,剩下两个引脚分别插入C孔和E孔中。若测出的hFE为几十~几百,说明管子属于正常接法,放大能力较强,此时C孔插的是集电极C,E孔插的是发射极E,如图4-36所示。(www.xing528.com)

978-7-111-50703-1-Chapter04-56.jpg

图4-36 晶体管C、E极的判定

若测出的hFE值只有几~十几,则表明被测管的集电极C与发射极E插反了,这时C孔插的是发射极E,E孔插的是集电极C。

为了使测试结果更可靠,可将基极B固定插在B孔不变,把集电极C与发射极E调换复测1~2次,以仪表显示值大(几十~几百)的一次为准,C孔插的引脚即是集电极C,E孔插的引脚则是发射极E。

3.判定硅管和锗管

硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的,即硅管的正向电阻大,锗管的小。利用这一特性就可以用指针式万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。判断方法如下。

1)将指针式万用表拨到R×100档或R×1k档,并调零。

2)测量NPN型晶体管时,万用表的黑表笔接基极,红表笔接集电极或发射极;测量PNP型晶体管时,万用表的红表笔接基极,黑表笔接集电极或发射极。

3)如果测得的阻值小于1kΩ,则所测的管子是锗管;如果测得的阻值在5~10kΩ,则所测的管子是硅管。

4.判定高频管和低频管

1)用指针式万用表测量晶体管发射极的反向电阻,如果是测量PNP型管,万用表的黑表笔接基极,红表笔接发射极;如果是测量NPN型管,万用表的红表笔接基极,黑表笔接发射极。

2)用万用表的R×1k档测量,此时万用表的指针指示的阻值应当很大,一般不超过满刻度值的1/10。

3)再将万用表转换到R×10k档,如果指针指示的阻值变化很大,超过满刻度值的1/3,则此管为高频管;反之,如果万用表转换到R×10k档后,指针指示的阻值变化不大,不超过满刻度值的1/3,则所测的管子为低频管。

5.晶体管好坏的检测

普通晶体管好坏的判断方法很多,主要是利用万用表来判断。下面以NPN型晶体管好坏的检测为例予以说明。

将指针式万用表置于R×1k档,黑表笔与晶体管基极相连,分别测晶体管基极与发射极、基极与集电极之间的电阻,这两种情况下的电阻值均为千欧级(若晶体管为锗管,阻值为1kΩ左右;若为硅管,阻值为7kΩ左右);对调表笔,再测发射结和集电结的电阻,其阻值均为无穷大,由此可初步判定此晶体管是好的;否则说明此晶体管是坏的。

接下来,可进一步判断晶体管的好坏。将万用表置于R×10k档,用红、黑表笔测晶体管发射极和集电极之间的电阻,然后对调表笔再测一次,这两次所测得的电阻有一次应为无穷大,另一次为几百千欧到几千千欧,由以上即可判定此晶体管为好的。如果两次测得晶体管发射极和集电极之间的电阻都为零或都为无穷大,则说明晶体管发射极和集电极之间短路或开路,此晶体管已不再可用。

对于PNP型晶体管,用上面的方法判断时将万用表的红、黑表笔对调一下即可。

一般来说,晶体管损坏后的常见故障主要有以下三种:

1)BE结击穿短路和开路。

2)CE结击穿短路和开路。

3)CB结击穿短路。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈